Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 700мА; Idm: 6А; 1,07Вт

Немає в наявності
Код товару: DMN2320UFB4-7B
13,30 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 10000
Крок додавання: 10000
Код товару: DMN2320UFB4-7B
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 7 дюймів
Заряд затвора: 0,89нКл
Корпус: X2-DFN1006-3
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: 20В
Опір в стані провідності: 1Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,07Вт
Струм стока: 0,7А
Струм стоку в імпульсі: 6А
Тип транзистора: N-MOSFET
Програмовані реле; 10А; IN: 8; Анал.вх: 0; Аналог.вих: 0; OUT: 4
Програмовані реле; 10А; IN: 8; Анал.вх: 0; Аналог.вих: 0; OUT: 4

7243,42 грн

Вид виходу 1:
реле
Вид входу 1:
цифровий
Електричні параметри виходу 1:
10А
Кількість виходів:
4
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 1812; 680мкГн; 65мА; R: 17Ом; ±10%; LQH; 180мм
Реактор: дротяний; SMD; 1812; 680мкГн; 65мА; R: 17Ом; ±10%; LQH; 180мм

5,89 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±10%
Індуктивність:
0,68мГн
Корпус - дюйм:
1812
Недоступний
IC: аналоговий перемикач; перемикач; TSSOP8; -40÷85°C; 2,8÷5,5В
IC: аналоговий перемикач; перемикач; TSSOP8; -40÷85°C; 2,8÷5,5В

105,80 грн

Вид об'єднаної схеми:
перемикач
Кількість каналів:
2
Корпус:
TSSOP8
Монтаж:
SMD
Резистор: thick film; 90,9кОм; SMD; 0603; 0,1Вт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 90,9кОм; SMD; 0603; 0,1Вт; ±1%; 75В; -55÷155°C

1,37 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Недоступний
IC: стабілізатор напруги; LDO,регульований; 800мВ÷2В; 1А; MSOP8
IC: стабілізатор напруги; LDO,регульований; 800мВ÷2В; 1А; MSOP8

128,61 грн

Вид стабілізатора напруги:
LDO; регульований
Вид упаковки:
туба
Вихідна напруга:
800мВ...2В
Вихідний струм:
1А
Недоступний
Резистор: thick film; 56кОм; 0603; 100мВт; ±1%; ERJ3EKF; 100ppm/°C
Резистор: thick film; 56кОм; 0603; 100мВт; ±1%; ERJ3EKF; 100ppm/°C

0,25 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 80МГц; LQFP48; 1,71÷3,6ВDC; Cmp: 2
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 80МГц; LQFP48; 1,71÷3,6ВDC; Cmp: 2

0,00 грн

Вид архітектури:
Cortex M4
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); CRC; DMA; TRNG; watchdog; операційний підсилювач
Інтерфейс:
CAN; GPIO; I2C; LPUART; QSPI; SAI; SPI; SWPMI; USART; USB
Кількість входів/виходів:
38
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,17А; 0,225Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,17А; 0,225Вт; SOT23

13,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; 0,36Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; 0,36Вт; SOT23

20,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; SJMOS™ C4; польовий; 650В; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; SJMOS™ C4; польовий; 650В; SOT223

34,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 120А; 188Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 120А; 188Вт; PG-TO263-3

159,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А

134,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
153нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-JFET; польовий; 2мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 2мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА

23,44 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-35В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 80А; 300Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 80А; 300Вт; D2PAK; ESD

183,73 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD