Транзистор: N-MOSFET; польовий; 240В; 220мА; Idm: 0,8А; 1,2Вт; SOT23

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: DMN24H11DS-7
41,18 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DMN24H11DS-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 7 дюймів
Заряд затвора: 3,7нКл
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 240В
Опір в стані провідності: 12Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,2Вт
Струм стока: 0,22А
Струм стоку в імпульсі: 0,8А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 36,5кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; TFR
Резистор: thin film; 36,5кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; TFR

24,08 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,05%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Резистор: thin film; 32,4кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 32,4кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

10,20 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Кількість в наборі/упаковці:
1000шт.
Корпус - дюйм:
0603
Резистор: thick film; 91кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 91кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; -55÷155°C

0,11 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thin film; 27кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 27кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%

16,85 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Резистор: thick film; 4,22МОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В
Резистор: thick film; 4,22МОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В

19,64 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Недоступний
Реактор: феритовий; SMD; 0603; 560нГн; 100мА; R: 1,05Ом; ±10%
Реактор: феритовий; SMD; 0603; 560нГн; 100мА; R: 1,05Ом; ±10%

4,31 грн

Допуск:
±10%
Індуктивність:
0,56мкГн
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
PMIC; перетворювач DC/DC; Uвх: 4÷60ВDC; Uвих: 0,8÷24ВDC; 25А; QFN32
PMIC; перетворювач DC/DC; Uвх: 4÷60ВDC; Uвих: 0,8÷24ВDC; 25А; QFN32

416,88 грн

Вид об'єднаної схеми:
перетворювач DC/DC
Вид упаковки:
ролик
Вихідна напруга:
0,8...24В DC
Вихідний струм:
25А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 60А; 48Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 60А; 48Вт; PowerPAK® SO8

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
150нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
1,2кВ; SiC; Модуль: транзисторний MOSFET
1,2кВ; SiC; Модуль: транзисторний MOSFET

5574,64 грн

Напруга сток-джерело:
1,2кВ
Технологія:
SiC
Тип напівпровідникового модуля:
транзисторний MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 278Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 278Вт; PowerPAK® SO8

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
105нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,7А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,7А; 1,25Вт; SOT23

33,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 5,8А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 5,8А; 1,25Вт; SOT23

17,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
5,4нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,35А; Idm: 1А; 0,5Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,35А; Idm: 1А; 0,5Вт

3,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,3нКл
Корпус:
SOT26; SOT457
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2А; Idm: 8А; 2Вт; MPT3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2А; Idm: 8А; 2Вт; MPT3

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5нКл
Корпус:
MPT3