Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 12А; Idm: 63А; 27Вт; TO220FP

Немає в наявності
Код товару: WML30N25JN
36,11 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WML30N25JN
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 9,8нКл
Корпус: TO220FP
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 250В
Опір в стані провідності: 99мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 27Вт
Струм стока: 12А
Струм стоку в імпульсі: 63А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 133нс
Недоступний
Резистор: thin film; 576кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±1%; MCT0603; 0; 75В
Резистор: thin film; 576кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±1%; MCT0603; 0; 75В

0,58 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Накладка; інтелігентний будинок,кнопки і перемикачі; подвійний
Накладка; інтелігентний будинок,кнопки і перемикачі; подвійний

448,56 грн

Використання:
інтелігентний будинок; кнопки і перемикачі
Додаткові функції:
лазерне гравіювання
Колір:
антрацитовий глянцевий
Модель:
подвійний
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,5пФ; 500В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,5пФ; 500В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

16,28 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
2,5пФ
Недоступний
IC: мікроконтролер; VQFN24; I2C,IrDA,LIN,SPI,UART,USART; 2÷3,6В
IC: мікроконтролер; VQFN24; I2C,IrDA,LIN,SPI,UART,USART; 2÷3,6В

100,10 грн

Вид архітектури:
MSP430
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); PoR; PWM; вбудований тактовий генератор
Інтерфейс:
I2C; IrDA; LIN; SPI; UART; USART
Корпус:
VQFN24
Недоступний
Діод: TVS; 300Вт; 94,4В; 2,2А; двоспрямована; DO214AC,SMA; SMAJ
Діод: TVS; 300Вт; 94,4В; 2,2А; двоспрямована; DO214AC,SMA; SMAJ

2,85 грн

Зворотна напруга макс.:
85В
Корпус:
DO214AC; SMA
Монтаж:
SMD
Напруга пробою:
94,4В
Недоступний
Резистор: thick film; 220кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; ERJU03F
Резистор: thick film; 220кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; ERJU03F

0,75 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 340Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 340Вт

2559,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Використання:
автомобільна галузь
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 30А; 75Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 30А; 75Вт; TO220AB

83,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220AB
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 5,2А; Idm: 18А; 50Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 5,2А; Idm: 18А; 50Вт; TO220AB

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 200А; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 200А; TO247AC

189,43 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247AC
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,89А; 90Вт; TO220-3; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,89А; 90Вт; TO220-3; ESD

142,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 12,6А; 190Вт; TO247; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 12,6А; 190Вт; TO247; ESD

236,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 140А; 330Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 140А; 330Вт; TO220AB

158,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
150нКл
Корпус:
TO220AB