1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 20,4А; Idm: 132А; 235Вт

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 20,4А; Idm: 132А; 235Вт
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: FDP33N25
120,38 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: FDP33N25
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 48нКл
Корпус: TO220AB
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 250В
Опір в стані провідності: 94мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 235Вт
Струм стока: 20,4А
Струм стоку в імпульсі: 132А
Тип транзистора: N-MOSFET
Конденсатор: керамічний; 1,8пФ; 50В; C0G (NP0); SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; 1,8пФ; 50В; C0G (NP0); SMD; 0805

1,41 грн

Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
1,8пФ
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,6пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,6пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD

0,05 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
8,6пФ
Недоступний
Стискувач; універсальний; Діапазон захвату: макс.500мм; D: 120мм
Стискувач; універсальний; Діапазон захвату: макс.500мм; D: 120мм

1456,54 грн

Використання інструментів:
слюсарні роботи; столярні праці
Глибина:
120мм
Діапазон захоплення:
макс. 500мм
Тип кріпильного інструменту:
стискувач
Недоступний
Резистор: thick film; 34,8Ом; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 34,8Ом; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; -55÷155°C

0,35 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Конектор: плоский; "папа"; M8; пригвинчуваний; сплав міді; кутовий
Конектор: плоский; "папа"; M8; пригвинчуваний; сплав міді; кутовий

24,84 грн

Вид конектора:
"папа"
Матеріал контакту:
сплав міді
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Отвір під гвинт:
M8
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330пФ; 100В; X8G; ±5%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330пФ; 100В; X8G; ±5%; SMD; 0603

1,75 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Допуск:
±5%
Недоступний
Діод: випрямний; SMD; 200В; 1,1А; 25нс; SOD128; Ufmax: 0,98В
Діод: випрямний; SMD; 200В; 1,1А; 25нс; SOD128; Ufmax: 0,98В

25,34 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
200В
Корпус:
SOD128
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 600В; 5,7А; Idm: 36А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 600В; 5,7А; Idm: 36А

117,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™; польовий; 250В; 28А; Idm: 180А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™; польовий; 250В; 28А; Idm: 180А

152,69 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
68,2нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 160Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 160Вт

270,53 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
27,3нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ S; польовий; 800В; 8,4А; Idm: 56А; 183Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ S; польовий; 800В; 8,4А; Idm: 56А; 183Вт

343,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
31нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 140А; Idm: 314А; 714Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 140А; Idm: 314А; 714Вт

1828,44 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
224нКл
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 1,2кВ; 3А; Idm: 12А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 1,2кВ; 3А; Idm: 12А

82,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
22,2нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; Idm: 200А; 69,4Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; Idm: 200А; 69,4Вт; TO220-3

37,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
46нКл
Корпус:
TO220-3