Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 50А; 260Вт; D2PAK

Немає в наявності
Код товару: FDB2710
290,80 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: FDB2710
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 101нКл
Корпус: D2PAK
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 250В
Опір в стані провідності: 36,3мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 260Вт
Струм стока: 50А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Діод: TVS; 3кВт; 10В; 194,8А; двоспрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1
Діод: TVS; 3кВт; 10В; 194,8А; двоспрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1

376,33 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
9В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO214AB; SMC
Недоступний
IC: інтерфейс; цифровий ізолятор; 1Мбіт/с; 2,7÷5,5ВDC; SMD; SO16-W
IC: інтерфейс; цифровий ізолятор; 1Мбіт/с; 2,7÷5,5ВDC; SMD; SO16-W

207,17 грн

Вид виходу:
CMOS
Вид каналу:
односпрямована
Вид об'єднаної схеми:
цифровий ізолятор
Вид упаковки:
туба
Недоступний
Кабель: до датчиків; штекерний; M12 ALTW; IP68,IP69K; пластик
Кабель: до датчиків; штекерний; M12 ALTW; IP68,IP69K; пластик

1701,73 грн

Вид роз’єму:
штекерний
Довжина проводу:
2м
Ізоляційний матеріал проводу:
ПВХ
Клас герметичності:
IP68; IP69K
Недоступний
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 42; THT; 3A; 125V
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 42; THT; 3A; 125V

191,97 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Висота:
8мм
Довжина відводів:
3,3мм
Недоступний
Датчик: оптоволоконний підсилювач; Підключення: проводи; 2м; E3X
Датчик: оптоволоконний підсилювач; Підключення: проводи; 2м; E3X

12833,26 грн

Довжина відводів:
2м
Підключення:
проводи
Серія виробника:
E3X
Тип датчика:
оптоволоконний підсилювач
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,8пФ; 200В; X8G; ±0,25пФ; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,8пФ; 200В; X8G; ±0,25пФ; SMD; 0402

5,70 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
9,8пФ
Недоступний
IC: інтерфейс; рація; full duplex,RS422 / RS485; 15Мбіт/с; MSOP10
IC: інтерфейс; рація; full duplex,RS422 / RS485; 15Мбіт/с; MSOP10

308,54 грн

Вид об'єднаної схеми:
рація
Інтерфейс:
full duplex; RS422 / RS485
Кількість передавачів:
1
Кількість приймачів:
1
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; 600В; 28А; 210Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; 600В; 28А; 210Вт; D2PAK,TO263

159,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
54нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 110А; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 110А; автомобільна галузь

971,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Напруга сток-джерело:
750В
Опір в стані провідності:
15мОм
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 150В; 26,8А; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 150В; 26,8А; PowerPAK® SO8

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 300А
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 300А

133,68 грн

Напруга сток-джерело:
100В
Струм стока:
300А
Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт

127,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,57А; 70Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,57А; 70Вт; DPAK; ESD

115,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 2,7А; Idm: 17А; 0,8Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 2,7А; Idm: 17А; 0,8Вт; SOT23

22,17 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
2,9нКл
Корпус:
SOT23