Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 8,5А; Idm: 56А; 125Вт; TO220AB

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IRF644PBF
116,57 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IRF644PBF
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 68нКл
Корпус: TO220AB
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 250В
Опір в стані провідності: 0,28Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 125Вт
Струм стока: 8,5А
Струм стоку в імпульсі: 56А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 90,9Ом; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M
Резистор: thin film; 90,9Ом; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M

4,75 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Connector: wire-board; data; 23A; PIN: 6; Glow-Wire; tinned; FCI
Connector: wire-board; data; 23A; PIN: 6; Glow-Wire; tinned; FCI

63,36 грн

Connector family:
data
Електричний монтаж:
паяння
Кількість пін:
6
Клас горючості:
UL94V-0
Недоступний
Резистор: thin film; 1кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; RN73R; 150В
Резистор: thin film; 1кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; RN73R; 150В

2,18 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Резистор: thick film; 120кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; PF; 200В
Резистор: thick film; 120кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; PF; 200В

0,37 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Резистор: thick film; 12кОм; SMD; 0508; 1Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 12кОм; SMD; 0508; 1Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C

0,30 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0508
Корпус - мм:
1220
Монтаж:
SMD
M32; 1,5; IP68; нержавіюча сталь; HSK-INOX-HD-Pro
M32; 1,5; IP68; нержавіюча сталь; HSK-INOX-HD-Pro

3029,65 грн

Type of cable gland:
cable
Вживання кабельних аксесуарів:
харчова промисловість
Вид різьблення:
метрична
Довжина гвинта:
8мм
Недоступний
Резистор: thick film; 22Ом; SMD; 1206; 500мВт; ±5%; HQ; 200В
Резистор: thick film; 22Ом; SMD; 1206; 500мВт; ±5%; HQ; 200В

0,58 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 650В; 48А; Idm: 135А; 550Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 650В; 48А; Idm: 135А; 550Вт

763,43 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
128нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 732Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 732Вт

662,70 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
287нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 4А; Idm: 20А; 43Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 4А; Idm: 20А; 43Вт; TO220AB

74,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
8,3нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 6,3А; Idm: 40А; 125Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 6,3А; Idm: 40А; 125Вт; TO220AB

133,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 160Вт; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 160Вт; TO247AC

137,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
110нКл
Корпус:
TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 17А; 45Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 17А; 45Вт; TO220AB

43,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
13,3нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 74А; Idm: 200А; 469Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 74А; Idm: 200А; 469Вт

1384,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
162нКл
Корпус:
TO247-4