Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 8,5А; Idm: 56А; 125Вт

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IRF644SPBF
223,64 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IRF644SPBF
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 68нКл
Корпус: D2PAK; TO263
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 250В
Опір в стані провідності: 0,28Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 125Вт
Струм стока: 8,5А
Струм стоку в імпульсі: 56А
Тип транзистора: N-MOSFET
Резистор: thick film; 210кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 210кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; -55÷155°C

0,10 грн

Допуск:
±1%
Зовнішні розміри:
1,6x0,8мм
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Роз’єм: провід-плата; вилка; штекерний,гніздовий; PIN: 9; 600В
Роз’єм: провід-плата; вилка; штекерний,гніздовий; PIN: 9; 600В

0,00 грн

Вид роз’єму:
гніздовий; штекерний
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
9
Клас горючості:
UL94V-0
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10мкФ; 35В; X7R; ±10%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10мкФ; 35В; X7R; ±10%; SMD; 1206

57,65 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Резистор: thick film; 1Ом; 1206; 250мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 1Ом; 1206; 250мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C

0,09 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Опір:
1Ом
Реактор: дротяний; SMD; 10мГн; 12,5x7,5мм; 800мА; ферит; 1,7Ом
Реактор: дротяний; SMD; 10мГн; 12,5x7,5мм; 800мА; ферит; 1,7Ом

46,25 грн

Високосортність:
24
Індуктивність:
10мГн
Матеріал стержня:
ферит
Монтаж:
SMD
Недоступний
IC: Oпераційний підсилювач; 1,5МГц; Ch: 4; 1,8÷5,5ВDC; TSSOP14
IC: Oпераційний підсилювач; 1,5МГц; Ch: 4; 1,8÷5,5ВDC; TSSOP14

86,80 грн

Діапазон напруги живлення:
1,8...5,5В DC
Кількість каналів:
4
Корпус:
TSSOP14
Монтаж:
SMT
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; М12 "папа",М12 "мама"; 2м; вилка
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; М12 "папа",М12 "мама"; 2м; вилка

2862,40 грн

Engineering PN:
M12 Cable Assembly D-cod st/st m/f 2,0m
Довжина кабелю:
2м
Ізоляційний матеріал проводу:
ПВХ
Кількість пін:
4
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5,2А; TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5,2А; TO263-7

269,26 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
8,9нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,36А; Idm: 1,8А; 0,35Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,36А; Idm: 1,8А; 0,35Вт

5,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,8нКл
Корпус:
SOT23-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 13А; Idm: 38А; 110Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 13А; Idm: 38А; 110Вт; DPAK

103,90 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
16,8нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 10,5А; U-DFN2020-6
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 10,5А; U-DFN2020-6

14,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
52,6нКл
Корпус:
U-DFN2020-6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 34,1А; Idm: 192А; 106Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 34,1А; Idm: 192А; 106Вт

83,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
30нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 82А; Idm: 326А; 130Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 82А; Idm: 326А; 130Вт

86,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
55нКл
Корпус:
LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 10А; Idm: 36А; 2Вт; DFN2020-8S
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 10А; Idm: 36А; 2Вт; DFN2020-8S

68,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
DFN2020-8S