1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 80А; 390Вт; TO263; 120нс

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 80А; 390Вт; TO263; 120нс
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IXFA80N25X3
445,39 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXFA80N25X3
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: ultra junction x-class
Заряд затвора: 83нКл
Корпус: TO263
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 250В
Опір в стані провідності: 16мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 390Вт
Струм стока: 80А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 120нс
Недоступний
Резистор: thick film; 422Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; -55÷125°C
Резистор: thick film; 422Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; -55÷125°C

0,18 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Монтаж:
SMD
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 150Вт; Uвх: 18÷75ВDC; Uвих: 48ВDC; Iвих: 3,2А
Перетворювач: DC/DC; 150Вт; Uвх: 18÷75ВDC; Uвих: 48ВDC; Iвих: 3,2А

6365,31 грн

Вихідна напруга:
48В DC
Вихідний струм:
3,2А
Вхідна напруга:
18...75В DC
Захист:
від короткого замикання SCP; перегрівання OTP; протиперевантажувальні OPP
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; SNAP-IN; 1,5мФ; 385ВDC; Ø35x90мм
Конденсатор: електролітичний; SNAP-IN; 1,5мФ; 385ВDC; Ø35x90мм

856,56 грн

Висота:
90мм
Діаметр:
35мм
Допуск:
±20%
Ємність:
1,5мФ
Недоступний
Резистор: thick film; 100Ом; 1210; 500мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 100Ом; 1210; 500мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C

3,32 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1210
Корпус - мм:
3225
Недоступний
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷5,5В; SOIC8; -40÷125°C
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷5,5В; SOIC8; -40÷125°C

136,85 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOIC8
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: поліестровий; 3,3нФ; 400ВAC; 2кВDC; 10мм; ±10%; MKT
Конденсатор: поліестровий; 3,3нФ; 400ВAC; 2кВDC; 10мм; ±10%; MKT

11,59 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Вид матеріалу:
що самогаситься
Вид упаковки:
cтрічка
Властивості конденсаторів:
конденсатори із збільшеним ресурсом
Недоступний
Резистор: thick film; 4,32кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 4,32кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; -55÷155°C

0,06 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,7А; 32Вт; PG-TO252-3; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,7А; 32Вт; PG-TO252-3; ESD

77,93 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Модель:
ESD
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 52А; 357Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 52А; 357Вт; D2PAK

176,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 7,8А; Idm: 26А; 86Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 7,8А; Idm: 26А; 86Вт

67,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
14,6нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; 0,5Вт; SuperSOT-3

31,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
6,3нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,6А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,6А; 2,5Вт; SO8

43,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,4А; 56,8Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,4А; 56,8Вт; TO252

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9,5нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 9,75А; 83Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 9,75А; 83Вт; DPAK

102,00 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
26нКл
Корпус:
DPAK