Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 96А; 625Вт; TO247-3; 158нс

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IXTH96N25T
371,90 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXTH96N25T
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: thrench gate power mosfet
Заряд затвора: 114нКл
Корпус: TO247-3
Монтаж: THT
Напруга сток-джерело: 250В
Опір в стані провідності: 29мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 625Вт
Струм стока: 96А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 158нс
Недоступний
Резистор: thick film; 750Ом; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; 100ppm/°C
Резистор: thick film; 750Ом; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; 100ppm/°C

0,10 грн

Діаметр роліка макс.:
178мм
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Резистор: thin film; 124кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; RN73H; 200В
Резистор: thin film; 124кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; RN73H; 200В

5,58 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Connector: wire-wire/PCB; plug; female; data; Milli-Grid; PIN: 14
Connector: wire-wire/PCB; plug; female; data; Milli-Grid; PIN: 14

43,40 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
затискання
Кількість пін:
14
Недоступний
Вимикач максимального струму; 230ВAC; Iном: 2А; Полюси: 1; Харкт: D
Вимикач максимального струму; 230ВAC; Iном: 2А; Полюси: 1; Харкт: D

687,41 грн

Відключаюча здатність кор. замикання:
6кА
Відповідність стандарту:
IEC EN 60898-1
Електрична стійкість:
10000 цикли
Кількість полюсів:
1
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 25; SMT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 25; SMT; straight

67,16 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
9,1мм
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Резистор: thick film; 698кОм; 0805; 125мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 698кОм; 0805; 125мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C

0,04 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Опір:
698кОм
Недоступний
Резистор: thin film; 499Ом; SMD; 0402; 62,5мВт; ±0,1%; -55÷155°C
Резистор: thin film; 499Ом; SMD; 0402; 62,5мВт; ±0,1%; -55÷155°C

7,48 грн

Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 600В; 5,7А; Idm: 36А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 600В; 5,7А; Idm: 36А

117,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™; польовий; 250В; 28А; Idm: 180А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™; польовий; 250В; 28А; Idm: 180А

152,69 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
68,2нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 160Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 160Вт

270,53 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
27,3нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ S; польовий; 800В; 8,4А; Idm: 56А; 183Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ S; польовий; 800В; 8,4А; Idm: 56А; 183Вт

343,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
31нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 140А; Idm: 314А; 714Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 140А; Idm: 314А; 714Вт

1828,44 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
224нКл
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 1,2кВ; 3А; Idm: 12А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 1,2кВ; 3А; Idm: 12А

82,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
22,2нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; Idm: 200А; 69,4Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; Idm: 200А; 69,4Вт; TO220-3

37,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
46нКл
Корпус:
TO220-3