Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 96А; Idm: 435А; 35Вт; TO220FP

Немає в наявності
Код товару: WML130N25JN
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1000
Крок додавання: 1000
Код товару: WML130N25JN
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 121нКл
Корпус: TO220FP
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 250В
Опір в стані провідності: 8,4мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 35Вт
Струм стока: 96А
Струм стоку в імпульсі: 435А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 195нс
Недоступний
Резистор: metal oxide; 68Ом; THT; 500мВт; ±5%; осьові; L: 6,2мм
Резистор: metal oxide; 68Ом; THT; 500мВт; ±5%; осьові; L: 6,2мм

1,71 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,5мм
Довжина:
6,2мм
Допуск:
±5%
Недоступний
Резистор: thick film; 93,1Ом; 0402; 63мВт; ±1%; 50В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 93,1Ом; 0402; 63мВт; ±1%; 50В; -55÷155°C

0,32 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Резистор: thick film; 30кОм; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 30кОм; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C

0,53 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Дисплей: LCD; 7-сегментний; STN Positive; К-ть знак: 8; Знак: 9мм
Дисплей: LCD; 7-сегментний; STN Positive; К-ть знак: 8; Знак: 9мм

0,00 грн

Вид дисплея:
7-сегментний
Висота знаку:
9мм
К-ть знаків, що відображуються:
8
Робоча температура:
-40...90°C
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,3нФ; 1кВ; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1210
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,3нФ; 1кВ; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1210

36,11 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Властивості конденсаторів:
soft termination
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Недоступний
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; штекерний; OMNIMATE; 8А
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; штекерний; OMNIMATE; 8А

221,11 грн

Alias:
SLD 3.50/12/90 3.2SN OR BX
Connector family:
роз'єм живлення
Вид роз’єму:
штекерний
Висота:
26,5мм
Резистор: thick film; 1кОм; SMD; 0603; 250мВт; ±5%; SR; -55÷155°C
Резистор: thick film; 1кОм; SMD; 0603; 250мВт; ±5%; SR; -55÷155°C

0,54 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Зовнішні розміри:
1,6x0,8мм
Корпус - дюйм:
0603
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 8А; Idm: 28А; 78Вт; SMA
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 8А; Idm: 28А; 78Вт; SMA

299,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
21нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 100В; 22А; Idm: 66А; 35Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 100В; 22А; Idm: 66А; 35Вт

41,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
34нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 12А; Idm: 48А
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 12А; Idm: 48А

54,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
26,5нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 50В; 70А; Idm: 280А; 53Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 50В; 70А; Idm: 280А; 53Вт

88,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
0,1мкКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 29А; Idm: 80А; 207Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 29А; Idm: 80А; 207Вт

415,61 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
54нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 14А; Idm: 96А; 270Вт; TO3PN
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 14А; Idm: 96А; 270Вт; TO3PN

214,77 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
85нКл
Корпус:
TO3PN
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 34А; Idm: 48А; 40Вт; TO3PF
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 34А; Idm: 48А; 40Вт; TO3PF

496,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
54нКл
Корпус:
TO3PF