1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 0,23А; 0,4Вт; SOT23; ESD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 0,23А; 0,4Вт; SOT23; ESD
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: DMG301NU-13
19,64 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DMG301NU-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус: SOT23
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: 25В
Опір в стані провідності: 5Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,4Вт
Струм стока: 0,23А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Ізоляційний вимикач; Полюси: 3+N; на панель,на шину DIN; 32А
Ізоляційний вимикач; Полюси: 3+N; на панель,на шину DIN; 32А

2258,62 грн

Властивості вимикачів:
з чорною поворотною ручкою
Кількість полюсів:
3+N
Монтаж:
на панель; на шину DIN
Номінальний струм:
32А
Недоступний
Резистор: дротяний; 142,8кОм; THT; 250мВт; ±0,1%; Ø4,75x9,53мм
Резистор: дротяний; 142,8кОм; THT; 250мВт; ±0,1%; Ø4,75x9,53мм

1924,74 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
4,75мм
Довжина:
9,53мм
Допуск:
±0,1%
Недоступний
Резистор: thin film; 261кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; ERA6AEB
Резистор: thin film; 261кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; ERA6AEB

1,81 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
200В
Корпус - дюйм:
0805
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 95А; Idm: 378А; 64Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 95А; Idm: 378А; 64Вт

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
9,1нКл
Корпус:
LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 13А; Idm: 30А; 17Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 13А; Idm: 30А; 17Вт; TO252

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Заряд затвора:
22,4нКл
Корпус:
TO252
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 180А; 315Вт; H2PAK-2
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 180А; 315Вт; H2PAK-2

90,60 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
114,6нКл
Корпус:
H2PAK-2
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 228А; 125Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 228А; 125Вт; PowerPAK® SO8

93,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
167нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 4Вт; PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 4Вт; PowerPAK® 1212-8

26,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
10нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,3А; Idm: 8А; 42Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,3А; Idm: 8А; 42Вт

78,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
18нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 24А; 60Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 24А; 60Вт; DPAK; ESD

62,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD