1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 70А; Idm: 280А; 47Вт

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 70А; Idm: 280А; 47Вт
Немає в наявності
Код товару: PSMN5R4-25YLDX
44,98 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: PSMN5R4-25YLDX
Виробник: NEXPERIA
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 12,4нКл
Корпус: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 25В
Опір в стані провідності: 4,93мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 47Вт
Струм стока: 70А
Струм стоку в імпульсі: 280А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Модуль: діодно-тиристорний; 1,2кВ; SEMITOP2; Ufmax: 1,2В
Модуль: діодно-тиристорний; 1,2кВ; SEMITOP2; Ufmax: 1,2В

3763,94 грн

Електричний монтаж:
Press-in PCB
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITOP2
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Недоступний
Кабель: до датчиків; M8; PIN: 5; 15м; вилка; 60ВDC; 50ВAC; 3А; ПВХ
Кабель: до датчиків; M8; PIN: 5; 15м; вилка; 60ВDC; 50ВAC; 3А; ПВХ

1494,55 грн

Довжина кабелю:
15м
Кількість пін:
5
Клас герметичності:
IP67
Колір ізоляції:
чорний
Недоступний
IC: мікроконтролер MSP430; BSSOP48; JTAG; 256БSRAM,16кБFLASH
IC: мікроконтролер MSP430; BSSOP48; JTAG; 256БSRAM,16кБFLASH

609,48 грн

Вид архітектури:
MSP430
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); watchdog; внутрішній датчик температури
Інтерфейс:
JTAG
Кількість каналів PWM:
3
Недоступний
Роз’єм: еластична арматура; 25,4мм; Ізоляція: PTFE
Роз’єм: еластична арматура; 25,4мм; Ізоляція: PTFE

0,00 грн

Недоступний
Тиристор: TSS; Urmax: 160В; DO214AA/SMB-3L; SMD; 30А; SIDACtor®
Тиристор: TSS; Urmax: 160В; DO214AA/SMB-3L; SMD; 30А; SIDACtor®

60,19 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
SLIC equipment
Зворотна напруга макс.:
160В
Корпус:
DO214AA/SMB-3L
Connector: PCB to PCB; male; data; PIN: 5; vertical; Inom: 18A; 2mm
Connector: PCB to PCB; male; data; PIN: 5; vertical; Inom: 18A; 2mm

261,02 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
SMT; THT
Кількість пін:
5
Недоступний
Діод: TVS; 1,5кВт; 47,8В; односпрямована; ±5%; DO13; 100пФ
Діод: TVS; 1,5кВт; 47,8В; односпрямована; ±5%; DO13; 100пФ

2067,29 грн

Допуск:
±5%
Ємність:
0,1нФ
Зворотна напруга макс.:
43В
Корпус:
DO13
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,17А; 0,225Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,17А; 0,225Вт; SOT23

13,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; 0,36Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; 0,36Вт; SOT23

20,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; SJMOS™ C4; польовий; 650В; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; SJMOS™ C4; польовий; 650В; SOT223

34,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 120А; 188Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 120А; 188Вт; PG-TO263-3

159,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А

134,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
153нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-JFET; польовий; 2мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 2мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА

23,44 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-35В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 80А; 300Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 80А; 300Вт; D2PAK; ESD

183,73 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD