Транзистор: N-MOSFET; польовий; 2кВ; 3А; 520Вт; TO268HV; 420нс

Немає в наявності
Код товару: IXTT3N200P3HV
2392,93 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 300
Крок додавання: 300
Код товару: IXTT3N200P3HV
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: standard power mosfet
Заряд затвора: 70нКл
Корпус: TO268HV
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 2кВ
Опір в стані провідності: 8Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 520Вт
Струм стока: 3А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 420нс
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 1,5мкГн; ±20%; M; 13,5x12,5x3,3мм
Реактор: дротяний; SMD; 1,5мкГн; ±20%; M; 13,5x12,5x3,3мм

26,10 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
1,5мкГн
Монтаж:
SMD
Розміри корпусу:
13,5x12,5x3,3мм
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 32; THT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 32; THT; 1.5A

394,07 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Довжина відводів:
2,5мм
Недоступний
Резистор: thin film; 4,7Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; TC; 200В
Резистор: thin film; 4,7Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; TC; 200В

3,06 грн

Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3225
Роз’єм: провід-провід; вилка; штекерний,гніздовий; PIN: 5; прямий
Роз’єм: провід-провід; вилка; штекерний,гніздовий; PIN: 5; прямий

4,75 грн

Вид роз’єму:
гніздовий; штекерний
Електричний монтаж:
затискання
Кількість пін:
5
Клас горючості:
UL94V-0
Недоступний
Резистор: thin film; 64,2Ом; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M
Резистор: thin film; 64,2Ом; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M

10,14 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: thin film; 626кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; RN73R; 75В
Резистор: thin film; 626кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; RN73R; 75В

0,94 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
IC: пам'ять FLASH; 32МбFLASH; SDI,SPI,SQI; 104МГц; 2,3÷3,6В; SO8
IC: пам'ять FLASH; 32МбFLASH; SDI,SPI,SQI; 104МГц; 2,3÷3,6В; SO8

176,13 грн

Вид пам’яті:
NOR
Вид упаковки:
туба
Інтерфейс:
SDI; SPI; SQI
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263

167,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
80,4нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8

26,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
PG-TDSON-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7

487,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
59нКл
Корпус:
D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15,5нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт

147,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
10,5нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 189мА; 3,3Вт; SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 189мА; 3,3Вт; SOT223; ESD

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD