Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 175мА; Idm: 0,5А; 1,6Вт; TO92

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: DN2530N3-G
38,65 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DN2530N3-G
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид каналу: збіднений
Вид упаковки: розсипний
Корпус: TO92
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 300В
Опір в стані провідності: 12Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,6Вт
Стандартне пакування виробника: 1000шт.
Струм стока: 175мА
Струм стоку в імпульсі: 0,5А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 3МОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; RK73H; 75В
Резистор: thick film; 3МОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; RK73H; 75В

0,07 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0603
Connector: pin strips; female; data; PIN: 14; THT; Inom: 3A; 350V
Connector: pin strips; female; data; PIN: 14; THT; Inom: 3A; 350V

228,08 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Довжина:
17,8мм
Довжина відводів:
2,9мм
Недоступний
Резистор: metal strip; 30мОм; струмовий шунт,вимірювальний; SMD
Резистор: metal strip; 30мОм; струмовий шунт,вимірювальний; SMD

11,09 грн

Вид резистора:
вимірювальний; струмовий шунт
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Резистор: thick film; 49,9Ом; SMD; 0201; 50мВт; ±1%; RK73H; 25В
Резистор: thick film; 49,9Ом; SMD; 0201; 50мВт; ±1%; RK73H; 25В

0,25 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
50В
Корпус - дюйм:
0201
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0603; 330мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0603; 330мм

0,38 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Випрямний міст: однофазний; Urmax: 800В; If: 18А; Ifsm: 320А; THT
Випрямний міст: однофазний; Urmax: 800В; If: 18А; Ifsm: 320А; THT

646,86 грн

Виводи:
дріт Ø1,0мм
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Зворотна напруга макс.:
0,8кВ
Резистор: thick film; 0805; 250мВт; ±1%; 2x1,25x0,55мм; -55÷155°C
Резистор: thick film; 0805; 250мВт; ±1%; 2x1,25x0,55мм; -55÷155°C

1,08 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 270А; Idm: 1080А; 329Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 270А; Idm: 1080А; 329Вт

80,46 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
145нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 95А; Idm: 278А; 86,2Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 95А; Idm: 278А; 86,2Вт; TO220-3

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
41нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 161А; Idm: 540А; 365Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 161А; Idm: 540А; 365Вт

151,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
78нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 90А; Idm: 360А; 135,9Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 90А; Idm: 360А; 135,9Вт

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
111нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 950В; 8А; Idm: 32А; 30Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 950В; 8А; Idm: 32А; 30Вт; TO220FP

193,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
22нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 9А; Idm: 36А; 25Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 9А; Idm: 36А; 25Вт; TO220FP

98,20 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5А; 20Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5А; 20Вт; TO220FP

66,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
TO220FP