1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 50А; 690Вт; TO247-3; 250нс

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 50А; 690Вт; TO247-3; 250нс
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IXFH50N30Q3
611,38 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXFH50N30Q3
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 65нКл
Корпус: TO247-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 300В
Опір в стані провідності: 80мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 690Вт
Струм стока: 50А
Технологія: HiPerFET™
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 250нс
Недоступний
Резистор: thin film; 309Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 309Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

5,51 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 115кОм; SMD; 0508; 750мВт; ±1%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 115кОм; SMD; 0508; 750мВт; ±1%; CRW; -55÷155°C

0,30 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0508
Корпус - мм:
1220
Монтаж:
SMD
Недоступний
Фільтр: SAW; f: 881,5МГц; 1,1x0,9мм; -30÷85°C; Смуга: 25МГц
Фільтр: SAW; f: 881,5МГц; 1,1x0,9мм; -30÷85°C; Смуга: 25МГц

16,98 грн

Робоча температура:
-30...85°C
Розміри:
1,1x0,9мм
Смуга передачі:
25МГц
Тип фільтра:
SAW
Недоступний
Потенціометр: повзунковий; 100кОм; 250мВт; THT; ±20%; лінійна
Потенціометр: повзунковий; 100кОм; 250мВт; THT; ±20%; лінійна

179,93 грн

Довжина доріжки:
20мм
Допуск:
±20%
Матеріал доріжки:
вугільний
Матеріал корпусу:
метал
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 23; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 23; SMT; 3A; 250V

255,32 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
туба
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Вим.акс: гніздо для щупа; Покриття: позолочений; KS-899; L: 24,5мм
Вим.акс: гніздо для щупа; Покриття: позолочений; KS-899; L: 24,5мм

146,35 грн

Використання:
тестові голки
Висота одвороту:
3,4мм
Довжина:
24,5мм
Монтаж:
лютований
Недоступний
Резистор: thin film; 1,37кОм; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 1,37кОм; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; ±0,5%

5,89 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 600В; 5,7А; Idm: 36А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 600В; 5,7А; Idm: 36А

117,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™; польовий; 250В; 28А; Idm: 180А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™; польовий; 250В; 28А; Idm: 180А

152,69 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
68,2нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 160Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 160Вт

270,53 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
27,3нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ S; польовий; 800В; 8,4А; Idm: 56А; 183Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ S; польовий; 800В; 8,4А; Idm: 56А; 183Вт

343,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
31нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 140А; Idm: 314А; 714Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 140А; Idm: 314А; 714Вт

1818,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
224нКл
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 1,2кВ; 3А; Idm: 12А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 1,2кВ; 3А; Idm: 12А

82,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
22,2нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; Idm: 200А; 69,4Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; Idm: 200А; 69,4Вт; TO220-3

37,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
46нКл
Корпус:
TO220-3