Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 0,48А; Idm: 1,5А; 0,18Вт

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: SI1302DL-T1-GE3
25,34 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SI1302DL-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 1,4нКл
Корпус: SC70; SOT323
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 0,48Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,18Вт
Струм стока: 0,48А
Струм стоку в імпульсі: 1,5А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Провід; Alpha Essential C&C; 7x20AWG; неекранований; 300В; 30,5м
Провід; Alpha Essential C&C; 7x20AWG; неекранований; 300В; 30,5м

5539,79 грн

Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Відповідність стандарту:
UL 2464; UL CM
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 4,5÷9ВDC; Uвих: 18ВDC; Uвих.2: -18ВDC
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 4,5÷9ВDC; Uвих: 18ВDC; Uвих.2: -18ВDC

722,25 грн

Вихідна напруга:
18В DC
Вихідна напруга 2:
-18В DC
Вихідний струм:
28мА
Вхідна напруга:
4,5...9В DC
Недоступний
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 8; 5м; вилка; 50ВDC; 50ВAC; 6А; PUR
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 8; 5м; вилка; 50ВDC; 50ВAC; 6А; PUR

5184,37 грн

Довжина кабелю:
5м
Кількість пін:
8
Клас герметичності:
IP67
Колір ізоляції:
чорний
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0805

0,85 грн

Alias:
KGM21BCG2A220JM
Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 27; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 27; THT; straight

65,26 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
37,8мм
Електричний монтаж:
THT
Резистор: thick film; 2,49кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 2,49кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; -55÷155°C

0,11 грн

Допуск:
±1%
Зовнішні розміри:
1,6x0,8мм
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Test probe: screw-in; 5A; Ø: 2mm; GKS-112; CuBe; 0.8N; screw-in; 20mΩ
Test probe: screw-in; 5A; Ø: 2mm; GKS-112; CuBe; 0.8N; screw-in; 20mΩ

345,29 грн

Type of test probe:
screw-in
Вигин пружини макс.:
5,3мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
2мм
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 60А; 48Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 60А; 48Вт; PowerPAK® SO8

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
150нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
1,2кВ; SiC; Модуль: транзисторний MOSFET
1,2кВ; SiC; Модуль: транзисторний MOSFET

5574,64 грн

Напруга сток-джерело:
1,2кВ
Технологія:
SiC
Тип напівпровідникового модуля:
транзисторний MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 278Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 278Вт; PowerPAK® SO8

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
105нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,7А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,7А; 1,25Вт; SOT23

33,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 5,8А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 5,8А; 1,25Вт; SOT23

17,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
5,4нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,35А; Idm: 1А; 0,5Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,35А; Idm: 1А; 0,5Вт

3,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,3нКл
Корпус:
SOT26; SOT457
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2А; Idm: 8А; 2Вт; MPT3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2А; Idm: 8А; 2Вт; MPT3

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5нКл
Корпус:
MPT3