Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 0,4А; 350мВт; SOT23,TO236AB

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: NX3008NBK,215
10,77 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: NX3008NBK,215
Виробник: NEXPERIA
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 0,68нКл
Корпус: SOT23; TO236AB
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 1,4Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,35Вт
Струм стока: 0,4А
Тип транзистора: N-MOSFET
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; SPST-NO; 5A/277ВAC; LD-P
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; SPST-NO; 5A/277ВAC; LD-P

84,26 грн

Зовнішні розміри:
20,5x7,2x15,3мм
Конфігурація контактів:
SPST-NO
Макс. струм контактів:
5А
Матеріал контакту:
AgNi
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; X2; 220нФ; 305В; THT; ±20%; 15мм
Конденсатор: поліпропиленовий; X2; 220нФ; 305В; THT; ±20%; 15мм

3,86 грн

Вид конденсатора:
X2
Допуск:
±20%
Ємність:
0,22мкФ
Монтаж:
THT
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 10,8÷13,2ВDC; Uвих: 5ВDC; Iвих: 200мА
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 10,8÷13,2ВDC; Uвих: 5ВDC; Iвих: 200мА

178,66 грн

Вихідна напруга:
5В DC
Вихідний струм:
0,2А
Вхідна напруга:
10,8...13,2В DC
Захист:
від короткого замикання SCP
Недоступний
Резистор: thin film; 57,6Ом; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M
Резистор: thin film; 57,6Ом; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M

15,02 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Кількість в наборі/упаковці:
1000шт.
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 95А; Idm: 378А; 64Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 95А; Idm: 378А; 64Вт

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
9,1нКл
Корпус:
LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 13А; Idm: 30А; 17Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 13А; Idm: 30А; 17Вт; TO252

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Заряд затвора:
22,4нКл
Корпус:
TO252
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 180А; 315Вт; H2PAK-2
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 180А; 315Вт; H2PAK-2

90,60 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
114,6нКл
Корпус:
H2PAK-2
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 228А; 125Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 228А; 125Вт; PowerPAK® SO8

93,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
167нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 4Вт; PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 4Вт; PowerPAK® 1212-8

26,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
10нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,3А; Idm: 8А; 42Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,3А; Idm: 8А; 42Вт

78,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
18нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 24А; 60Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 24А; 60Вт; DPAK; ESD

62,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD