Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 1,3Вт; SOT23

Немає в наявності
Код товару: DMN3069L-7
3,52 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: DMN3069L-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Заряд затвора: 4,3нКл
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 30мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,3Вт
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Діод: TVS; 0,2кВт; 15,6В; 8,6А; односпрямована; SOD123F; Ch: 1; SMF
Діод: TVS; 0,2кВт; 15,6В; 8,6А; односпрямована; SOD123F; Ch: 1; SMF

4,62 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
14В
Кількість каналів:
1
Корпус:
SOD123F
Connector: wire-board; terminal; female; data; 6.6A; 300V; PIN: 12
Connector: wire-board; terminal; female; data; 6.6A; 300V; PIN: 12

42,26 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
затискання; паяння
Кількість пін:
12
Недоступний
Конденсатор: полімерний; 150мкФ; 16ВDC; THT; ±20%; Ø5x9мм; SEPG
Конденсатор: полімерний; 150мкФ; 16ВDC; THT; ±20%; Ø5x9мм; SEPG

43,72 грн

Висота:
9мм
Діаметр:
5мм
Допуск:
±20%
Ємність:
150мкФ
Недоступний
Резистор: thin film; 180Ом; THT; 500мВт; ±0,5%; Ø3,7x10мм; осьові
Резистор: thin film; 180Ом; THT; 500мВт; ±0,5%; Ø3,7x10мм; осьові

41,81 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
3,7мм
Довжина:
10мм
Допуск:
±0,5%
Недоступний
Діод: TVS; 0,5кВт; 26,7В; 10,3А; двоспрямована; DO214AC,SMA; Ch: 1
Діод: TVS; 0,5кВт; 26,7В; 10,3А; двоспрямована; DO214AC,SMA; Ch: 1

8,81 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
24В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO214AC; SMA
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 12; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 12; THT; 3A; 250V

117,84 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
21мм
Недоступний
Кабель: до датчиків; PIN: 4; неекранований; вилка; IP67; автоматика
Кабель: до датчиків; PIN: 4; неекранований; вилка; IP67; автоматика

0,00 грн

Довжина проводу:
14м
Ізоляційний матеріал проводу:
еластомер термопластичний TPE
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP67
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 60В; 69,4А; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 60В; 69,4А; PowerPAK® SO8

53,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
41нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 97Вт; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 97Вт; автомобільна галузь

38,01 грн

Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
17нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 1А; Idm: 4А; 32,2Вт; QFN3X3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 1А; Idm: 4А; 32,2Вт; QFN3X3

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5,8нКл
Корпус:
QFN3X3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 2,7А; Idm: 17А; 25Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 2,7А; Idm: 17А; 25Вт

74,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
8,3нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 39А; 95Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 39А; 95Вт; D2PAK; ESD

105,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 4,4А; 2,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 4,4А; 2,1Вт; SOT223

53,22 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
10,4нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 280А; 330Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 280А; 330Вт; D2PAK

184,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD