1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100А; 125Вт; VSON-CLIP8; 5x6мм

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100А; 125Вт; VSON-CLIP8; 5x6мм
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: CSD17576Q5BT
47,52 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: CSD17576Q5BT
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 25нКл
Корпус: VSON-CLIP8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 2,4мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 125Вт
Розміри: 5x6мм
Струм стока: 100А
Технологія: NexFET™
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 619кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±1%; MCT0603; 0; 75В
Резистор: thin film; 619кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±1%; MCT0603; 0; 75В

0,58 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Patch cord; S/FTP; Cat 6a; RJ45 вилка,з обох сторін; 5м; тросик
Patch cord; S/FTP; Cat 6a; RJ45 вилка,з обох сторін; 5м; тросик

451,09 грн

Будова екрану:
обплетення з алюмінієвих дротів; плівка AL-PET; подвійно екранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Вид кабелю:
S/FTP
Недоступний
Резистор: thin film; 7,5кОм; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 7,5кОм; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,1%

7,98 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Резистор: thin film; 82,5Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 82,5Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%

16,85 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 9ВDC; SPST-NO; 10A/250ВAC; RM12N
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 9ВDC; SPST-NO; 10A/250ВAC; RM12N

127,34 грн

Зовнішні розміри:
28,5x10,1x12,5мм
Клас герметичності:
IP40
Конфігурація контактів:
SPST-NO
Макс. напруга котушки:
11,7В DC
Недоступний
Резистор: thick film; 255кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; HV; 500В
Резистор: thick film; 255кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; HV; 500В

0,80 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
1кВ
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; THT; 15000мкФ; 10ВDC; Ø18x40мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; THT; 15000мкФ; 10ВDC; Ø18x40мм; ±20%

72,86 грн

Висота:
40мм
Діаметр:
18мм
Допуск:
±20%
Ємність:
15мФ
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 60А; 48Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 60А; 48Вт; PowerPAK® SO8

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
150нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
1,2кВ; SiC; Модуль: транзисторний MOSFET
1,2кВ; SiC; Модуль: транзисторний MOSFET

5574,64 грн

Напруга сток-джерело:
1,2кВ
Технологія:
SiC
Тип напівпровідникового модуля:
транзисторний MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 278Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 278Вт; PowerPAK® SO8

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
105нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,7А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,7А; 1,25Вт; SOT23

33,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 5,8А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 5,8А; 1,25Вт; SOT23

17,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
5,4нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,35А; Idm: 1А; 0,5Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,35А; Idm: 1А; 0,5Вт

3,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,3нКл
Корпус:
SOT26; SOT457
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2А; Idm: 8А; 2Вт; MPT3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2А; Idm: 8А; 2Вт; MPT3

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5нКл
Корпус:
MPT3