Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100А; 48Вт; PG-TDSON-8

Немає в наявності
Код товару: ISC026N03L5SATMA1
15,21 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 5000
Крок додавання: 5000
Код товару: ISC026N03L5SATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Корпус: PG-TDSON-8
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 2,6мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 48Вт
Струм стока: 100А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Датчик: індуктивний; OUT: NPN / NC; 0÷8мм; 10÷30ВDC; M18; 5м; IP67
Датчик: індуктивний; OUT: NPN / NC; 0÷8мм; 10÷30ВDC; M18; 5м; IP67

1750,51 грн

Дальність:
0...8мм
Довжина відводів:
5м
Клас герметичності:
IP67
Конфігурація виходу:
NPN / NC
Недоступний
Дозатор у формі пістолета; 310мм; алюміній,сталь
Дозатор у формі пістолета; 310мм; алюміній,сталь

139,38 грн

Використання інструментів:
для монтажних клеїв; для силіконів
Довжина:
310мм
Матеріал:
алюміній; сталь
Тип інструмента:
дозатор у формі пістолета
Недоступний
Діод: TVS; 0,2кВт; 44,4÷49,1В; 3,1А; двоспрямована; ±5%; SOD123F
Діод: TVS; 0,2кВт; 44,4÷49,1В; 3,1А; двоспрямована; ±5%; SOD123F

6,21 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
40В
Недоступний
Резистор: metal oxide; 33кОм; THT; 5Вт; ±5%; 25x13x9мм; радіальні
Резистор: metal oxide; 33кОм; THT; 5Вт; ±5%; 25x13x9мм; радіальні

16,73 грн

Виводи:
радіальні
Допуск:
±5%
Монтаж:
THT
Опір:
33кОм
Недоступний
Кабель: до датчиків; PIN: 4; 7,5м; 60ВDC; 1,5А; Жили: 4; PUR; -25÷85°C
Кабель: до датчиків; PIN: 4; 7,5м; 60ВDC; 1,5А; Жили: 4; PUR; -25÷85°C

3643,57 грн

Довжина кабелю:
7,5м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP65; IP66K; IP67
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,5А; 0,225Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,5А; 0,225Вт; SOT23

12,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 30В; 5,6А; 1,4Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 30В; 5,6А; 1,4Вт; SOT23

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 2,5А; 70Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 2,5А; 70Вт; DPAK; ESD

119,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 0,9А; 2Вт; TSOP6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 0,9А; 2Вт; TSOP6

35,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
TSOP6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 18А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 18А; 2,5Вт; SO8

98,83 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 37А; 107Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 37А; 107Вт; DPAK

70,96 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 30А; Idm: 160А; 110Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 30А; Idm: 160А; 110Вт; DPAK

60,82 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
48нКл