Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11А; Idm: 24А; 2,4Вт; MicroFET

Немає в наявності
Код товару: FDMA7630
47,52 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: FDMA7630
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 22нКл
Корпус: MicroFET
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 18мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 2,4Вт
Струм стока: 11А
Струм стоку в імпульсі: 24А
Технологія: PowerTrench®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 2,2кОм; 0603; 100мВт; ±5%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 2,2кОм; 0603; 100мВт; ±5%; 75В; -55÷155°C

0,21 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Кабель: до датчиків; штекерний; M12 ALTW; IP68,IP69K; метал; код A
Кабель: до датчиків; штекерний; M12 ALTW; IP68,IP69K; метал; код A

1801,19 грн

Вид роз’єму:
штекерний
Довжина проводу:
3м
Ізоляційний матеріал проводу:
ПВХ
Клас герметичності:
IP68; IP69K
Недоступний
Діод: зенера; 0,5Вт; 9,41÷9,9В; SMD; DO219AC,microSMF
Діод: зенера; 0,5Вт; 9,41÷9,9В; SMD; DO219AC,microSMF

1,40 грн

Використання:
автомобільна галузь
Допуск:
±3%
Зенерівська напруга:
9,41...9,9В
Корпус:
DO219AC; microSMF
Недоступний
Резистор: thick film; 1,8кОм; 1206; 250мВт; ±5%; 200В; 100ppm/°C
Резистор: thick film; 1,8кОм; 1206; 250мВт; ±5%; 200В; 100ppm/°C

0,17 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Опір:
1,8кОм
Недоступний
Резистор: thick film; 590Ом; 0805; 500мВт; ±1%; ERJP06F
Резистор: thick film; 590Ом; 0805; 500мВт; ±1%; ERJP06F

1,51 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Опір:
590Ом
Недоступний
Наконечник ключа; динамометрична,насадковий,накидний
Наконечник ключа; динамометрична,насадковий,накидний

1842,37 грн

Type of wrench accessories:
наконечник ключа
Вид ключа:
динамометрична; накидний; насадковий
Матеріал:
загартована сталь; хром-нікелева сталь
Розмір гнізда тримача - мм:
14x18мм
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 1000мкФ; 25ВDC; ±20%
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 1000мкФ; 25ВDC; ±20%

21,22 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Висота:
20мм
Діаметр:
12,5мм
Допуск:
±20%
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5,2А; TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5,2А; TO263-7

269,26 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
8,9нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,36А; Idm: 1,8А; 0,35Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,36А; Idm: 1,8А; 0,35Вт

5,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,8нКл
Корпус:
SOT23-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 13А; Idm: 38А; 110Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 13А; Idm: 38А; 110Вт; DPAK

103,90 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
16,8нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 10,5А; U-DFN2020-6
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 10,5А; U-DFN2020-6

14,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
52,6нКл
Корпус:
U-DFN2020-6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 34,1А; Idm: 192А; 106Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 34,1А; Idm: 192А; 106Вт

83,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
30нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 82А; Idm: 326А; 130Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 82А; Idm: 326А; 130Вт

86,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
55нКл
Корпус:
LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 10А; Idm: 36А; 2Вт; DFN2020-8S
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 10А; Idm: 36А; 2Вт; DFN2020-8S

68,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
DFN2020-8S