Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 12,1А; 1,56Вт; PG-DSO-8

Немає в наявності
Код товару: BSO110N03MSGXUMA1
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: BSO110N03MSGXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Корпус: PG-DSO-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 11мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,56Вт
Струм стока: 12,1А
Технологія: OptiMOS™ 3
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Провід: управління; ÖLFLEX® ROBUST FD C; 3G0,75мм2; чорний; 9,1мм
Провід: управління; ÖLFLEX® ROBUST FD C; 3G0,75мм2; чорний; 9,1мм

503,68 грн

Будова екрану:
обплітка з луджених мідних дротів
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Вид матеріалу:
негалогенний
Резистор: thick film; 68Ом; SMD; 0805; 250мВт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 68Ом; SMD; 0805; 250мВт; ±1%; -55÷155°C

0,15 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
1220
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,3А; 0,5Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,3А; 0,5Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±8В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,2А; Idm: 27А; 0,4Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,2А; Idm: 27А; 0,4Вт; SOT23

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
5,1нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 30А; 42Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 30А; 42Вт; PG-TO252-3

66,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 40А; Idm: 80А; 40Вт
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 40А; Idm: 80А; 40Вт

66,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
77нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 120А; 250Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 120А; 250Вт; PG-TO263-3

124,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 100А; 156Вт; PG-TDSON-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 100А; 156Вт; PG-TDSON-8

141,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TDSON-8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 55А; 66Вт; PG-TDSON-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 55А; 66Вт; PG-TDSON-8

84,90 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TDSON-8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В