Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 151А; 33Вт; DFN5x6

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: AON6500
55,12 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: AON6500
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 107нКл
Корпус: DFN5x6
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 0,95мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 33Вт
Струм стока: 151А
Тип транзистора: N-MOSFET
750мОм; LCS; ±1%; 1Вт; -55÷155°C; 2512
750мОм; LCS; ±1%; 1Вт; -55÷155°C; 2512

18,88 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6432
Опір:
0,75Ом
Недоступний
Гачок; 200мм; знімач для підшипників
Гачок; 200мм; знімач для підшипників

4170,05 грн

Використання інструментів:
знімач для підшипників
Довжина:
0,2м
Тип аксесуарів для інструментів:
гачок
Недоступний
IC: мікроконтролер ARM; 136кБSRAM,1024кБFLASH; LBGA256
IC: мікроконтролер ARM; 136кБSRAM,1024кБFLASH; LBGA256

1114,42 грн

Вид архітектури:
Cortex M3
Інтерфейс:
CAN; Ethernet; I2C; QEI; SPI; UART; USART; USB
Кількість входів/виходів:
164
Корпус:
LBGA256
Недоступний
Діод: TVS; 3кВт; 17,8В; односпрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1; SMDJ
Діод: TVS; 3кВт; 17,8В; односпрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1; SMDJ

20,91 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
16В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO214AB; SMC
Недоступний
Резистор: thin film; 200Ом; THT; 250мВт; ±1%; Ø2x3,5мм; осьові
Резистор: thin film; 200Ом; THT; 250мВт; ±1%; Ø2x3,5мм; осьові

0,99 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2мм
Довжина:
3,5мм
Допуск:
±1%
Ножниці; 170мм; 16мм2,25мм2,35мм2
Ножниці; 170мм; 16мм2,25мм2,35мм2

2306,14 грн

Властивості інструментів:
воронований інструмент
Властивості інструментів для обробки проводів:
гніздо для зняття ізоляції; розмикаюча пружина
Довжина:
170мм
Застосування кусачок/ножів:
для кабелів; для різки мідних і алюмінієвих кабелів
Недоступний
Провід; ÖLFLEX® CLASSIC 110 CY BK; 7G2,5мм2; ПВХ; чорний; CPR: Eca
Провід; ÖLFLEX® CLASSIC 110 CY BK; 7G2,5мм2; ПВХ; чорний; CPR: Eca

731,12 грн

Будова екрану:
екранований; обплітка з луджених мідних дротів
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Вид матеріалу:
не поширює полум'я
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,7А; 32Вт; PG-TO252-3; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,7А; 32Вт; PG-TO252-3; ESD

77,93 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Модель:
ESD
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 52А; 357Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 52А; 357Вт; D2PAK

176,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 7,8А; Idm: 26А; 86Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 7,8А; Idm: 26А; 86Вт

67,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
14,6нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; 0,5Вт; SuperSOT-3

31,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
6,3нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,6А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,6А; 2,5Вт; SO8

43,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,4А; 56,8Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,4А; 56,8Вт; TO252

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9,5нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 9,75А; 83Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 9,75А; 83Вт; DPAK

102,00 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
26нКл
Корпус:
DPAK