Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 2,3А; 1Вт; SOT23,TO236AB

Немає в наявності
Код товару: PMV40UN2R
18,37 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: PMV40UN2R
Виробник: NEXPERIA
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 12нКл
Корпус: SOT23; TO236AB
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 78мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1Вт
Струм стока: 2,3А
Тип транзистора: N-MOSFET
Резистор: thin film; 910Ом; SMD; MiniMELF; 0204; 0,4Вт; ±1%; 200В
Резистор: thin film; 910Ом; SMD; MiniMELF; 0204; 0,4Вт; ±1%; 200В

3,80 грн

Діаметр:
1,5мм
Довжина:
3,6мм
Допуск:
±1%
Корпус:
MiniMELF
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 110пФ; 250В; C0G (NP0); ±1%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 110пФ; 250В; C0G (NP0); ±1%; SMD

24,71 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±1%
Connector: D-Sub; PIN: 25; data transfer; straight; brass; 3A; 26AWG
Connector: D-Sub; PIN: 25; data transfer; straight; brass; 3A; 26AWG

11486,33 грн

Connector family:
data transfer
Кількість пін:
25
Матеріал контакту:
латунь
Номінальний струм:
3А
Недоступний
Реле: герконове; Uкотушки: 12ВDC; SPST-NO; 3А; макс.7кВDC; PCB; D
Реле: герконове; Uкотушки: 12ВDC; SPST-NO; 3А; макс.7кВDC; PCB; D

3656,24 грн

Електрична стійкість:
10000000000 цикли
Зовнішні розміри:
60x15,8x18,5мм
Конфігурація контактів:
SPST-NO
Макс. струм контактів:
3А
Недоступний
Резистор: thick film; 59кОм; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 59кОм; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,23 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
IC: цифровий; буфер,інвертор,відвертаючий,контролер лінії; Ch: 6
IC: цифровий; буфер,інвертор,відвертаючий,контролер лінії; Ch: 6

31,04 грн

Вид виходу:
3-позиційний
Вид об'єднаної схеми:
буфер; відвертаючий; інвертор; контролер лінії
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Кількість каналів:
6
Недоступний
Діод: випрямний Шотткі; THT; 40В; 3А; DO201AD,DO27; Ufmax: 0,525В
Діод: випрямний Шотткі; THT; 40В; 3А; DO201AD,DO27; Ufmax: 0,525В

7,35 грн

Вид упаковки:
Ammo Pack
Зворотна напруга макс.:
40В
Корпус:
DO27; DO201AD
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,17А; 0,225Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,17А; 0,225Вт; SOT23

13,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; 0,36Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; 0,36Вт; SOT23

20,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; SJMOS™ C4; польовий; 650В; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; SJMOS™ C4; польовий; 650В; SOT223

34,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 120А; 188Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 120А; 188Вт; PG-TO263-3

159,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А

134,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
153нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-JFET; польовий; 2мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 2мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА

23,44 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-35В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 80А; 300Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 80А; 300Вт; D2PAK; ESD

183,73 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD