Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 22А; Idm: 100А; 41Вт; Power56

Немає в наявності
Код товару: FDMS0310AS
48,78 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: FDMS0310AS
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 37нКл
Корпус: Power56
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 6мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 41Вт
Струм стока: 22А
Струм стоку в імпульсі: 100А
Технологія: PowerTrench®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,7нФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,7нФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD

12,35 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
2,7нФ
Недоступний
Діод: випрямний; SMD; 100В; 3А; SMC; Ufmax: 0,95В; Ifsm: 100А
Діод: випрямний; SMD; 100В; 3А; SMC; Ufmax: 0,95В; Ifsm: 100А

32,31 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
0,1кВ
Корпус:
SMC
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 2,7мФ; 10ВDC; ±20%
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 2,7мФ; 10ВDC; ±20%

28,89 грн

Виводи:
радіальні
Вид конденсатора:
low ESR
Висота:
25мм
Діаметр:
12,5мм
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 5A; Ø: 4mm; GKS-113; CuBe; 0.6N; push-in; 30mΩ
Test probe: ICT/FCT; 5A; Ø: 4mm; GKS-113; CuBe; 0.6N; push-in; 30mΩ

307,91 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
5,3мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
4мм
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 60А; 48Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 60А; 48Вт; PowerPAK® SO8

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
150нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
1,2кВ; SiC; Модуль: транзисторний MOSFET
1,2кВ; SiC; Модуль: транзисторний MOSFET

5574,64 грн

Напруга сток-джерело:
1,2кВ
Технологія:
SiC
Тип напівпровідникового модуля:
транзисторний MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 278Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 278Вт; PowerPAK® SO8

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
105нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,7А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,7А; 1,25Вт; SOT23

33,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 5,8А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 5,8А; 1,25Вт; SOT23

17,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
5,4нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,35А; Idm: 1А; 0,5Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,35А; Idm: 1А; 0,5Вт

3,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,3нКл
Корпус:
SOT26; SOT457
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2А; Idm: 8А; 2Вт; MPT3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2А; Idm: 8А; 2Вт; MPT3

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5нКл
Корпус:
MPT3