1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 24А; Idm: 125А; 26Вт

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 24А; Idm: 125А; 26Вт
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: WMB098N03LG2
27,24 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WMB098N03LG2
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 6,5нКл
Корпус: PDFN5060-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 15,6мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 26Вт
Струм стока: 24А
Струм стоку в імпульсі: 125А
Тип транзистора: N-MOSFET
Конденсатор: електролітичний; low ESR; SMD; 47мкФ; 50ВDC; ±20%
Конденсатор: електролітичний; low ESR; SMD; 47мкФ; 50ВDC; ±20%

25,98 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Висота:
5,8мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Властивості конденсаторів:
підвищена температура пайки
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 70В; 100А; Idm: 400А; 133Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 70В; 100А; Idm: 400А; 133Вт; TO220-3

51,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
92нКл
Корпус:
TO220-3
Недоступний
Реактор: повітряна котушка; SMD; 0603; 1,8нГн; 1100мА; R: 0,1Ом; LQG
Реактор: повітряна котушка; SMD; 0603; 1,8нГн; 1100мА; R: 0,1Ом; LQG

4,58 грн

Високосортність:
12
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,3нГн
Індуктивність:
1,8нГн
Корпус для з’єднувачів: D-Sub; D-Sub 9pin,D-Sub HD 15pin; метал
Корпус для з’єднувачів: D-Sub; D-Sub 9pin,D-Sub HD 15pin; метал

413,71 грн

Діаметр проводу макс.:
11,4мм
Застосування роз’ємів:
D-Sub 9pin; D-Sub HD 15pin
Матеріал корпусу:
метал
Модель роз’єму:
екранований; з низьким профілем
Недоступний
Діод: випрямний; SMD; 100В; 2А; DO221AD,slimSMAW; Ufmax: 930мВ
Діод: випрямний; SMD; 100В; 2А; DO221AD,slimSMAW; Ufmax: 930мВ

38,65 грн

Вид упаковки:
ролик 7 дюймів
Зворотна напруга макс.:
0,1кВ
Кількість в наборі/упаковці:
3500шт.
Корпус:
DO221AD; slimSMAW
Недоступний
Резистор: thin film; 470Ом; прецизійний; SMD; 0603; 62,5мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 470Ом; прецизійний; SMD; 0603; 62,5мВт; ±0,1%

2,08 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
50В
Корпус - дюйм:
0603
Конденсатор: електролітичний; low ESR; SMD; 47мкФ; 16ВDC; ±20%
Конденсатор: електролітичний; low ESR; SMD; 47мкФ; 16ВDC; ±20%

18,37 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Висота:
5,8мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
6,3мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 8А; 160Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 8А; 160Вт; D2PAK

153,32 грн

Заряд затвора:
72нКл
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
900В
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263

167,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
80,4нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8

26,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
PG-TDSON-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7

487,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
59нКл
Корпус:
D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15,5нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт

147,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
10,5нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD