Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 24А; Idm: 350А; 2,3Вт

Немає в наявності
Код товару: DMT32M5LFG-7
38,58 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2000
Крок додавання: 2000
Код товару: DMT32M5LFG-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 7 дюймів
Заряд затвора: 67,7нКл
Корпус: PowerDI3333-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 2,6мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 2,3Вт
Струм стока: 24А
Струм стоку в імпульсі: 350А
Тип транзистора: N-MOSFET
Мікроперемикач SNAP ACTION; SPDT; ON-(ON); BZ; -55÷85°C; 3,61Н
Мікроперемикач SNAP ACTION; SPDT; ON-(ON); BZ; -55÷85°C; 3,61Н

3137,36 грн

Виводи:
термінал швидкого підключення
Конфігурація контактів:
SPDT
Матеріал контакту:
золото
Монтаж:
пригвинчуваний
Недоступний
OMNIMATE; вертикальне; на PCB; PCB; Контакти: сплав міді; чорний
OMNIMATE; вертикальне; на PCB; PCB; Контакти: сплав міді; чорний

50,68 грн

Alias:
FC/FFP ZE/50 B BX
Недоступний
Вимикач максимального струму; 230/400ВAC; Iном: 50А; Полюси: 1
Вимикач максимального струму; 230/400ВAC; Iном: 50А; Полюси: 1

5097,57 грн

Відключаюча здатність кор. замикання:
25кА
Кількість полюсів:
1
Клас герметичності:
IP20
Монтаж:
на шину DIN
Недоступний
Резистор: thin film; 6,8Ом; THT; 1Вт; ±1%; 500В; Ø4,2x11,9мм
Резистор: thin film; 6,8Ом; THT; 1Вт; ±1%; 500В; Ø4,2x11,9мм

5,20 грн

Допуск:
±1%
Зовнішні розміри:
Ø4,2x11,9мм
Кількість в наборі/упаковці:
1000шт.
Монтаж:
THT
Недоступний
Діод: TVS; 1,5кВт; 77,8÷86В; 13,3А; двоспрямована; ±5%; DO214AB,SMC
Діод: TVS; 1,5кВт; 77,8÷86В; 13,3А; двоспрямована; ±5%; DO214AB,SMC

9,88 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
70В
Підставка: інтегровані схеми; DIP24; Растр: 2,54мм; прецизійна
Підставка: інтегровані схеми; DIP24; Растр: 2,54мм; прецизійна

33,58 грн

Вид підставки:
з двосторонніми виводами
Використання:
DIP24
Електричний монтаж:
THT
Клас горючості:
UL94V-0
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 30; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 30; THT; 3A; 250V

392,17 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263

167,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
80,4нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8

26,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
PG-TDSON-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7

487,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
59нКл
Корпус:
D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15,5нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт

147,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
10,5нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 189мА; 3,3Вт; SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 189мА; 3,3Вт; SOT223; ESD

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD