Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 28А; Idm: 80А; 33Вт; Power56

Немає в наявності
Код товару: FDMS7680
49,42 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: FDMS7680
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 28нКл
Корпус: Power56
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 10,1мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 33Вт
Струм стока: 28А
Струм стоку в імпульсі: 80А
Технологія: PowerTrench®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Вольтметр; на панель; 0÷50В; Клас: 1,5; 96x96мм; VLM-1/96
Вольтметр; на панель; 0÷50В; Клас: 1,5; 96x96мм; VLM-1/96

2412,57 грн

Вимір:
напруги AC
Діапазон вимірювання напруги AC:
0...50В
Клас герметичності:
IP52
Клас точності:
1,5
Недоступний
Конденсатор: керамічний; 10мкФ; 50В; X7S; ±10%; SMD; 1210
Конденсатор: керамічний; 10мкФ; 50В; X7S; ±10%; SMD; 1210

13,68 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діелектрик:
X7S
Допуск:
±10%
Ємність:
10мкФ
Недоступний
Конденсатор: полімерний; low ESR; H: 12мм; 220мкФ; 35ВDC; 2800мА
Конденсатор: полімерний; low ESR; H: 12мм; 220мкФ; 35ВDC; 2800мА

72,86 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Висота:
12мм
Діаметр:
8мм
Допуск:
±20%
Транзистор: NPN; біполярний; Darlington; 160В; 1А; 1Вт; TO92
Транзистор: NPN; біполярний; Darlington; 160В; 1А; 1Вт; TO92

79,19 грн

Вид транзистора:
Darlington
Вид упаковки:
розсипний
Кількість в наборі/упаковці:
4000шт.
Корпус:
TO92
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 24пФ; 25ВDC; C0G (NP0); ±5%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 24пФ; 25ВDC; C0G (NP0); ±5%; SMD

0,25 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
24пФ
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 16; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 16; SMT; 3A; 250V

64,62 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
14,2мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,7А; 32Вт; PG-TO252-3; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,7А; 32Вт; PG-TO252-3; ESD

77,93 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Модель:
ESD
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 52А; 357Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 52А; 357Вт; D2PAK

176,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 7,8А; Idm: 26А; 86Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 7,8А; Idm: 26А; 86Вт

67,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
14,6нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; 0,5Вт; SuperSOT-3

31,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
6,3нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,6А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,6А; 2,5Вт; SO8

43,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,4А; 56,8Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,4А; 56,8Вт; TO252

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9,5нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 9,75А; 83Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 9,75А; 83Вт; DPAK

102,00 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
26нКл
Корпус:
DPAK