Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 3,9А; 1Вт; SOT23

Немає в наявності
Код товару: ZXMN3A14FTA
15,08 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: ZXMN3A14FTA
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 8,6нКл
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 95мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1Вт
Струм стока: 3,9А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Датчик: індуктивний; OUT: NPN / NO; 0÷4мм; 10÷30ВDC; M8; IP67; PIN: 4
Датчик: індуктивний; OUT: NPN / NO; 0÷4мм; 10÷30ВDC; M8; IP67; PIN: 4

3810,19 грн

Дальність:
0...4мм
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP67
Конфігурація виходу:
NPN / NO
Недоступний
IC: цифровий; 3-позиційний,8bit,bus transceiver,octal; CMOS; SMD
IC: цифровий; 3-позиційний,8bit,bus transceiver,octal; CMOS; SMD

19,64 грн

Вид виходу:
3-позиційний
Вид об'єднаної схеми:
3-позиційний; 8bit; bus transceiver; octal
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TSSOP20
Конденсатор: мідь-поліпропілен-папір; 0,1мкФ; 600ВDC; ±5%; THT
Конденсатор: мідь-поліпропілен-папір; 0,1мкФ; 600ВDC; ±5%; THT

1618,10 грн

Виводи:
осьові
Висота:
50мм
Діаметр:
24мм
Допуск:
±5%
Недоступний
IC: контролер HUB; I2C; VQFN100; лоток; 3,3В
IC: контролер HUB; I2C; VQFN100; лоток; 3,3В

392,80 грн

Вид упаковки:
лоток
Інтерфейс:
I2C
Корпус:
VQFN100
Монтаж:
SMD
Недоступний
Ізоляційний вимикач; Полюси: 3+N; на панель; 16А; 3LD3; 7,5кВт
Ізоляційний вимикач; Полюси: 3+N; на панель; 16А; 3LD3; 7,5кВт

2470,86 грн

Властивості вимикачів:
з чорною поворотною ручкою
Допоміжні інтегровані контакти:
NO + NC
Кількість полюсів:
3+N
Монтаж:
на панель
Недоступний
Викрутка: ізольований-комплект; прецизійна; Phillips,плоскa
Викрутка: ізольований-комплект; прецизійна; Phillips,плоскa

1798,66 грн

Вид викрутки:
прецизійна
Властивості викруток:
ергономічна рукоятка
Кількість в наборі/упаковці:
5шт.
Розмір грота:
PH0; PH1
Недоступний
Резистор: thin film; 1кОм; SMD; 0805; 100мВт; ±0,1%; -55÷155°C
Резистор: thin film; 1кОм; SMD; 0805; 100мВт; ±0,1%; -55÷155°C

5,58 грн

Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,3А; 0,5Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,3А; 0,5Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±8В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,4А; Idm: 10А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,4А; Idm: 10А; 1,25Вт; SOT23

36,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
6нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 47Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 47Вт; PG-TO252-3

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3

291,43 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 56А; 310Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 56А; 310Вт; D2PAK

215,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
82нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,5А; 4,5Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,5А; 4,5Вт; DFN3x3 EP

15,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7,1нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 39А; 33Вт; DFN3.3x3.3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 39А; 33Вт; DFN3.3x3.3 EP

25,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
21,3нКл
Корпус:
DFN3.3x3.3 EP
Монтаж:
SMD