Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 30/28А; Idm: 40А; 2,1/2,2Вт

Немає в наявності
Код товару: FDML7610S
116,57 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: FDML7610S
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 28/60нКл
Корпус: MLP8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 12/6мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 2,1/2,2Вт
Струм стока: 30/28А
Струм стоку в імпульсі: 40А
Тип транзистора: N-MOSFET
Ферит: бусина; Імп.@ 100МГц: 100Ом; SMD; 4А; 0805; R: 20мОм
Ферит: бусина; Імп.@ 100МГц: 100Ом; SMD; 4А; 0805; R: 20мОм

5,07 грн

Імпеданс при 100МГц:
100Ом
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Монтаж:
SMD
Недоступний
Підставка: інтегровані схеми; PIN: 6; SIL; 2,54мм; прецизійна; THT
Підставка: інтегровані схеми; PIN: 6; SIL; 2,54мм; прецизійна; THT

21,10 грн

Використання:
SIL
Властивості підставок:
втулкові контакти; закруглені виводи; можливість зламання для отримання необхідної кількості виводів
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
6
Роз’єм: круглі; контакт; штекерний; промислова; затискання; 1,6мм
Роз’єм: круглі; контакт; штекерний; промислова; затискання; 1,6мм

48,78 грн

Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
затискання
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 25В; X7R; ±10%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 25В; X7R; ±10%; SMD; 1206

0,00 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
1мкФ
Недоступний
Резистор: thin film; 39,2кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±0,1%; ERA2AEB
Резистор: thin film; 39,2кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±0,1%; ERA2AEB

3,46 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
50В
Корпус - дюйм:
0402
Недоступний
Резистор: thin film; 2,94кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; ERA3ARB
Резистор: thin film; 2,94кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; ERA3ARB

12,29 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
BMS захисту; Li-Ion; 60x60x5мм; 30А; 14,8ВDC
BMS захисту; Li-Ion; 60x60x5мм; 30А; 14,8ВDC

1887,99 грн

Вид акумулятора:
Li-Ion
Вихідна напруга:
14,8В DC
Захист:
від короткого замикання SCP; захист від перезарядження; протиперевантажувальні OPP
Максимальний струм:
30А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 60А; 48Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 60А; 48Вт; PowerPAK® SO8

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
150нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
1,2кВ; SiC; Модуль: транзисторний MOSFET
1,2кВ; SiC; Модуль: транзисторний MOSFET

5574,64 грн

Напруга сток-джерело:
1,2кВ
Технологія:
SiC
Тип напівпровідникового модуля:
транзисторний MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 278Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 278Вт; PowerPAK® SO8

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
105нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,7А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,7А; 1,25Вт; SOT23

33,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 5,8А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 5,8А; 1,25Вт; SOT23

17,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
5,4нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,35А; Idm: 1А; 0,5Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,35А; Idm: 1А; 0,5Вт

3,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,3нКл
Корпус:
SOT26; SOT457
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2А; Idm: 8А; 2Вт; MPT3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2А; Idm: 8А; 2Вт; MPT3

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5нКл
Корпус:
MPT3