Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 30А; 12,5Вт; DFN5x6

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: AON6414A
38,65 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: AON6414A
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 24нКл
Корпус: DFN5x6
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 11,4мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 12,5Вт
Струм стока: 30А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
LED; жовтий; SMD; PLCC2; 380÷755мlm; 112÷280мкд; 1,9÷2,4ВDC; 120°
LED; жовтий; SMD; PLCC2; 380÷755мlm; 112÷280мкд; 1,9÷2,4ВDC; 120°

7,22 грн

Довжина хвилі λd:
580...595нм
Колір діода LED:
жовтий
Корпус:
PLCC2
Корпус - мм:
3528
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,2пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,2пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

2,24 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
4,2пФ
Недоступний
Резистор: thick film; 787Ом; 2512; 1Вт; ±5%; CRT; -55÷155°C; 2А
Резистор: thick film; 787Ом; 2512; 1Вт; ±5%; CRT; -55÷155°C; 2А

0,59 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6332
Опір:
787Ом
Недоступний
Резистор: thick film; 576кОм; SMD; 0508; 1Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 576кОм; SMD; 0508; 1Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C

0,30 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0508
Корпус - мм:
1220
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 2,7кОм; THT; 500мВт; ±5%; 350В; Ш0,54x28мм
Резистор: вуглецевий; 2,7кОм; THT; 500мВт; ±5%; 350В; Ш0,54x28мм

1,21 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
3,5мм
Довжина:
10мм
Допуск:
±5%
Резистор: thin film; 8,06кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; ERA6AEB
Резистор: thin film; 8,06кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; ERA6AEB

4,43 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
200В
Корпус - дюйм:
0805
Недоступний
Резистор: thick film; 33Ом; SMD; 0805; 330мВт; ±1%; PS; 150В
Резистор: thick film; 33Ом; SMD; 0805; 330мВт; ±1%; PS; 150В

0,79 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 60А; 48Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 60А; 48Вт; PowerPAK® SO8

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
150нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
1,2кВ; SiC; Модуль: транзисторний MOSFET
1,2кВ; SiC; Модуль: транзисторний MOSFET

5574,64 грн

Напруга сток-джерело:
1,2кВ
Технологія:
SiC
Тип напівпровідникового модуля:
транзисторний MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 278Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 278Вт; PowerPAK® SO8

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
105нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,7А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,7А; 1,25Вт; SOT23

33,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 5,8А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 5,8А; 1,25Вт; SOT23

17,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
5,4нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,35А; Idm: 1А; 0,5Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,35А; Idm: 1А; 0,5Вт

3,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,3нКл
Корпус:
SOT26; SOT457
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2А; Idm: 8А; 2Вт; MPT3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2А; Idm: 8А; 2Вт; MPT3

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5нКл
Корпус:
MPT3