Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 30А; Idm: 72А; 30Вт; HSMT8

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: RQ3E180AJTB
55,75 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: RQ3E180AJTB
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 39нКл
Корпус: HSMT8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 5,8мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 30Вт
Струм стока: 30А
Струм стоку в імпульсі: 72А
Тип транзистора: N-MOSFET
Резистор: thick film; 330Ом; SMD; 2010; 0,75Вт; ±5%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 330Ом; SMD; 2010; 0,75Вт; ±5%; 200В; -55÷155°C

2,15 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Недоступний
Резистор: thick film; 160кОм; SMD; 0603; 200мВт; ±0,5%; ERJPC3D
Резистор: thick film; 160кОм; SMD; 0603; 200мВт; ±0,5%; ERJPC3D

1,32 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Перетворювач: DC/AC; 230ВAC; Властивості: чиста синусоїда; MPPT
Перетворювач: DC/AC; 230ВAC; Властивості: чиста синусоїда; MPPT

7223,15 грн

Використання:
фотоелектрика
Вихідна напруга:
230В AC
Властивості блоків перетворювачів:
чиста синусоїда
Захист:
перегрівання OTP; проти короткого замикання OVP; протиперевантажувальні OPP
Недоступний
Резистор: thick film; 13,3кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; 200В
Резистор: thick film; 13,3кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; 200В

0,15 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Конденсатор: керамічний; 12нФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; THT; 2,5мм
Конденсатор: керамічний; 12нФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; THT; 2,5мм

7,67 грн

Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
12нФ
Монтаж:
THT
Реактор: дротяний; SMD; 4,7мГн; 40мА; ±5%; ферит; Ø: 5мм; H: 4,8мм
Реактор: дротяний; SMD; 4,7мГн; 40мА; ±5%; ферит; Ø: 5мм; H: 4,8мм

17,36 грн

Високосортність:
40
Висота:
4,8мм
Діаметр:
5мм
Допуск:
±5%
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 10; SMT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 10; SMT; straight

43,08 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
15,5мм
Електричний монтаж:
SMT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,2А; Idm: 0,4А; 0,15Вт; SC89
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,2А; Idm: 0,4А; 0,15Вт; SC89

10,77 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SC89
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 180А; 315Вт; H2PAK-2
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 180А; 315Вт; H2PAK-2

90,60 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
114,6нКл
Корпус:
H2PAK-2
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 228А; 125Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 228А; 125Вт; PowerPAK® SO8

93,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
167нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 4Вт; PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 4Вт; PowerPAK® 1212-8

26,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
10нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,3А; Idm: 8А; 42Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,3А; Idm: 8А; 42Вт

78,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
18нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 24А; 60Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 24А; 60Вт; DPAK; ESD

62,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 50А; 63Вт; VSONP8; 5x6мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 50А; 63Вт; VSONP8; 5x6мм

74,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
VSONP8