Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD

Name: Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD
Brand: STMicroelectronics
SKU: STN4NF03L
Price: 46.88 UAH
Availability: InStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Термін постачання: 3 тижні

Код товару: STN4NF03L

46,88 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Код товару:

STN4NF03L

Виробник:

STMicroelectronics

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик

Корпус:

SOT223

Модель:

ESD

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±16В

Напруга сток-джерело:

30В

Опір в стані провідності:

60мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

3,3Вт

Струм стока:

4,5А

Технологія:

SuperMesh™

Тип транзистора:

N-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263

167,89 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
80,4нКл

Корпус:
D2PAK; TO263

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8

26,67 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
9нКл

Корпус:
PG-TDSON-8

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7

487,84 грн

Вид каналу:
збагачений

Використання:
автомобільна галузь

Заряд затвора:
59нКл

Корпус:
D2PAK-7

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
15,5нКл

Корпус:
TO252

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт

147,62 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
38нКл

Корпус:
D2PAK; TO263

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
10,5нКл

Корпус:
SOT23

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 189мА; 3,3Вт; SOT223; ESD

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
SOT223

Модель:
ESD