Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 40А; 48Вт; PG-TSDSON-8

Name: Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 40А; 48Вт; PG-TSDSON-8
Brand: INFINEON TECHNOLOGIES
SKU: BSZ0902NSATMA1
Price: 18.25 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: BSZ0902NSATMA1

18,25 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 5000

Крок додавання: 5000

Код товару:

BSZ0902NSATMA1

Виробник:

INFINEON TECHNOLOGIES

Вид каналу:

збагачений

Корпус:

PG-TSDSON-8

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±20В

Напруга сток-джерело:

30В

Опір в стані провідності:

2,6мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

48Вт

Струм стока:

40А

Технологія:

OptiMOS™

Тип транзистора:

N-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 80А; 242Вт; D2PAK

203,37 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
135нКл

Корпус:
D2PAK

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 7,8А; Idm: 26А; 86Вт

67,16 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
14,6нКл

Корпус:
TO263

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 1,9А; 0,5Вт; SuperSOT-3

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Властивості напівпровідникових елементів:
logic level

Заряд затвора:
5,9нКл

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,8А; 57Вт; TO252

38,65 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
6,7нКл

Корпус:
TO252

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9,8А; 50Вт; DPAK

83,63 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
18нКл

Корпус:
DPAK

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 16А; 90Вт; DPAK

138,11 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
62нКл

Корпус:
DPAK

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9А; 50Вт; DPAK; ESD

88,70 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
DPAK

Модель:
ESD