1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 49А; Idm: 100А; 59Вт; PQFN8

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 49А; Idm: 100А; 59Вт; PQFN8
Немає в наявності
Код товару: FDMS0306AS
74,13 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: FDMS0306AS
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 57нКл
Корпус: PQFN8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 3,3мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 59Вт
Струм стока: 49А
Струм стоку в імпульсі: 100А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 56Ом; SMD; 0805; 500мВт; ±5%; ERJP06J
Резистор: thick film; 56Ом; SMD; 0805; 500мВт; ±5%; ERJP06J

0,98 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Кабель; D-Sub 37pin гніздо,D-Sub 37pin вилка; ПВХ; Дл: 1м; сірий
Кабель; D-Sub 37pin гніздо,D-Sub 37pin вилка; ПВХ; Дл: 1м; сірий

6011,16 грн

Будова екрану:
екранований
Вид жили:
Cu
Вид матеріалу:
негалогенний
Відповідність стандарту:
UL 21946
Недоступний
Резистор: thick film; 34Ом; SMD; 0508; 1Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 34Ом; SMD; 0508; 1Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C

0,30 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0508
Корпус - мм:
1220
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 3,9Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 3,9Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; 200В; -55÷155°C

2,80 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6432
Недоступний
Резистор: thick film; 147Ом; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 147Ом; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; -55÷155°C

0,35 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Роз’єм: M12; вилка; гніздовий; MICRO; PIN: 4; Iном: 4А; 250В; IP67
Роз’єм: M12; вилка; гніздовий; MICRO; PIN: 4; Iном: 4А; 250В; IP67

0,00 грн

Вид роз’єму:
гніздовий
Довжина проводу:
4м
Ізоляційний матеріал проводу:
TPU
Кількість пін:
4
Недоступний
Діод: TVS збірка; 1,4В; двоспрямована; SOD882T; Ch: 1
Діод: TVS збірка; 1,4В; двоспрямована; SOD882T; Ch: 1

7,54 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Зворотна напруга макс.:
1В
Кількість каналів:
1
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 15А; Idm: 40А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 15А; Idm: 40А; 125Вт

397,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
34нКл
Корпус:
D3PAK; TO268
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 60В; 40А; Idm: 120А; 44Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 60В; 40А; Idm: 120А; 44Вт

25,53 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
43нКл
Корпус:
FB (TO252AA)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS4; польовий; 60В; 64А; Idm: 192А; 168Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS4; польовий; 60В; 64А; Idm: 192А; 168Вт

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
77нКл
Корпус:
LF (MO235B similar)
Транзистор: N-JFET; польовий; 80мА; 0,35Вт; SuperSOT-3; Igt: 10мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 80мА; 0,35Вт; SuperSOT-3; Igt: 10мА

38,01 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SuperSOT-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-25В
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 60В; 0,17А; Idm: 0,9А; ESD
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 60В; 0,17А; Idm: 0,9А; ESD

5,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1нКл
Корпус:
SOT23; TO236AB
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M5; польовий; 650В; 5,6А; Idm: 36А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M5; польовий; 650В; 5,6А; Idm: 36А

149,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 270мА; Idm: 5А; 420мВт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 270мА; Idm: 5А; 420мВт; SOT23

14,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,7нКл
Корпус:
SOT23