Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 53А; 35Вт; PG-TDSON-8

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: BSC080N03MSGATMA1
31,04 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: BSC080N03MSGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Корпус: PG-TDSON-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 8мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 35Вт
Струм стока: 53А
Технологія: OptiMOS™ 3
Тип транзистора: N-MOSFET
Потенціометр: осьовий; однообертовий
Потенціометр: осьовий; однообертовий

67,16 грн

Вид потенціометра:
однообертовий
Тип потенціометра:
осьовий
Click board; макетна плата; Комп: BH1721FVC; датчик освітлення
Click board; макетна плата; Комп: BH1721FVC; датчик освітлення

544,22 грн

Вид модуля:
датчик освітлення
Інтерфейс:
I2C
Компоненти:
BH1721FVC
Напруга живлення:
3,3В DC; 5В DC
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 2.3mm; GKS-113; CuBe; 2.25N; push-in
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 2.3mm; GKS-113; CuBe; 2.25N; push-in

307,91 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
5,3мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
2,3мм
Недоступний
IC: перетворювач D/A; 8бит; 2,5Мsps; Ch: 4; VSSOP10; -40÷105°C
IC: перетворювач D/A; 8бит; 2,5Мsps; Ch: 4; VSSOP10; -40÷105°C

0,00 грн

Max DNL:
±0,18LSB
Max INL:
±0,5LSB
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail
Інтерфейс:
SPI
Connector: PCB-cable/PCB; socket; male; data; SignalBee; PIN: 10
Connector: PCB-cable/PCB; socket; male; data; SignalBee; PIN: 10

97,57 грн

Connector family:
data
Engineering PN:
CL0543-0536-0-52
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Діод: TVS; 0,6кВт; 27В; 16А; односпрямована; ±5%; SOD128
Діод: TVS; 0,6кВт; 27В; 16А; односпрямована; ±5%; SOD128

8,24 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
23,1В
Корпус:
SOD128
IC: мікроконтролер AVR; ATMEGA; TQFP32; 2,7÷5,5ВDC; Cmp: 4; 0,8мм
IC: мікроконтролер AVR; ATMEGA; TQFP32; 2,7÷5,5ВDC; Cmp: 4; 0,8мм

299,04 грн

Вид упаковки:
лоток
Властивості інтегральних мікросхем:
watchdog; внутрішній датчик температури
Інтерфейс:
CAN; debugWIRE; LIN; SPI; UART
Кількість каналів PWM:
10
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 8А; 160Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 8А; 160Вт; D2PAK

153,32 грн

Заряд затвора:
72нКл
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
900В
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263

167,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
80,4нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8

26,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
PG-TDSON-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7

487,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
59нКл
Корпус:
D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15,5нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт

147,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
10,5нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD