Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 73А; 70Вт; DPAK

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: FDD8876
48,15 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: FDD8876
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 47нКл
Корпус: DPAK
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 13мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 70Вт
Струм стока: 73А
Технологія: PowerTrench®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; роз'єм живлення
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; роз'єм живлення

553,73 грн

Connector family:
роз'єм живлення
Тип роз’єму:
роз'єднувальна клемова рейка
Недоступний
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 56; THT; 3A; 125V
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 56; THT; 3A; 125V

255,32 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Висота:
8мм
Довжина відводів:
3,3мм
Резистор: thick film; 270кОм; ±5%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 270кОм; ±5%; -55÷155°C

51,95 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Опір:
270кОм
Робоча температура:
-55...155°C
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22мкФ; 4В; X6S; ±20%; SMD; 0805; 180мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22мкФ; 4В; X6S; ±20%; SMD; 0805; 180мм

0,91 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X6S
Допуск:
±20%
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 120В; 93А; Idm: 522А; 41Вт; DFN5
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 120В; 93А; Idm: 522А; 41Вт; DFN5

102,00 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
42нКл
Корпус:
DFN5
Недоступний
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 16; THT; 1.5A; 60V
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 16; THT; 1.5A; 60V

118,47 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
16
Недоступний
Діод: TVS; 0,6кВт; 26,7В; двоспрямована; DO214AA,SMB; Ch: 1
Діод: TVS; 0,6кВт; 26,7В; двоспрямована; DO214AA,SMB; Ch: 1

269,26 грн

Зворотна напруга макс.:
24В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO214AA; SMB
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 125Вт; DFN8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 125Вт; DFN8

277,50 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DFN8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 51А; 150Вт; TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 51А; 150Вт; TO263-7

679,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
94нКл
Корпус:
TO263-7
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 3,2А
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 3,2А

8,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
5,9нКл
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
20В
Транзистор: N-MOSFET; 25В; 96Вт
Транзистор: N-MOSFET; 25В; 96Вт

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
59нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; N; 800В; 10А; 83Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; N; 800В; 10А; 83Вт; DPAK

91,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
17,3нКл
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 1,7А; Idm: 6А; 25Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 1,7А; Idm: 6А; 25Вт

93,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 15А; Idm: 40А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 15А; Idm: 40А; 125Вт

397,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
34нКл
Корпус:
D3PAK; TO268