Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 79А; Idm: 292А; 55Вт

Немає в наявності
Код товару: PSMN6R0-30YL,115
62,09 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: PSMN6R0-30YL,115
Виробник: NEXPERIA
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 11нКл
Корпус: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 1,4мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 55Вт
Струм стока: 79А
Струм стоку в імпульсі: 292А
Тип транзистора: N-MOSFET
Switch PoE Ethernet; Кількість портів: 6; 10÷56ВDC; W: 87мм
Switch PoE Ethernet; Кількість портів: 6; 10÷56ВDC; W: 87мм

2976,44 грн

Використання:
CCTV; для вбудовування
Висота:
19мм
Довжина:
68мм
Кількість портів:
6
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 4; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 4; THT; 3A; 250V

39,28 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thin film; 261Ом; THT; 500мВт; ±0,1%; Ø3,7x10мм; осьові
Резистор: thin film; 261Ом; THT; 500мВт; ±0,1%; Ø3,7x10мм; осьові

48,15 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
3,7мм
Довжина:
10мм
Допуск:
±0,1%
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 5; неекранований; вилка; 250В; 4А
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 5; неекранований; вилка; 250В; 4А

3010,01 грн

Довжина проводу:
8м
Ізоляційний матеріал проводу:
ПВХ
Кількість пін:
5
Клас герметичності:
IP67
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,7А; 32Вт; PG-TO252-3; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,7А; 32Вт; PG-TO252-3; ESD

77,93 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Модель:
ESD
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 52А; 357Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 52А; 357Вт; D2PAK

176,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 7,8А; Idm: 26А; 86Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 7,8А; Idm: 26А; 86Вт

67,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
14,6нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; 0,5Вт; SuperSOT-3

31,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
6,3нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,6А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,6А; 2,5Вт; SO8

43,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,4А; 56,8Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,4А; 56,8Вт; TO252

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9,5нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 9,75А; 83Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 9,75А; 83Вт; DPAK

102,00 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
26нКл
Корпус:
DPAK