Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 89А; 48Вт; PG-TDSON-8

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: BSC0902NSIATMA1
64,62 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: BSC0902NSIATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Корпус: PG-TDSON-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 2,8мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 48Вт
Струм стока: 89А
Технологія: OptiMOS™
Тип транзистора: N-MOSFET
Діод: зенера; 500мВт; 11В; SMD; SOD123; 2мкА
Діод: зенера; 500мВт; 11В; SMD; SOD123; 2мкА

1,47 грн

Допуск:
±5%
Зенерівська напруга:
11В
Корпус:
SOD123
Монтаж:
SMD
Connector: wire-wire; plug; male; data; tinned; straight
Connector: wire-wire; plug; male; data; tinned; straight

9,82 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Матеріал контакту:
латунь
Покриття контакту:
луджений
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 5мГн; 2А; R: 70мОм; Ø17,8x11,43мм; Ø: 17,8мм
Реактор: дротяний; SMD; 5мГн; 2А; R: 70мОм; Ø17,8x11,43мм; Ø: 17,8мм

79,19 грн

Висота:
11,43мм
Діаметр:
17,8мм
Індуктивність:
5мГн
Монтаж:
SMD
Недоступний
Модуль автоматики: контролер руху; Інтерфейс: USB; 1ГГц; 1ГБ
Модуль автоматики: контролер руху; Інтерфейс: USB; 1ГГц; 1ГБ

0,00 грн

Інтерфейс:
USB
Комунікаційний протокол:
EtherCAT; EtherNET/IP
Об’єм пам’яті:
1ГБ
Особливості модулів:
8 axes
Недоступний
IC: пам'ять EEPROM; 2кбEEPROM; SPI; 256x8бит; 2,5÷5,5В; 10МГц; DIP8
IC: пам'ять EEPROM; 2кбEEPROM; SPI; 256x8бит; 2,5÷5,5В; 10МГц; DIP8

0,00 грн

Вид пам’яті:
EEPROM
Вид упаковки:
туба
Інтерфейс:
SPI
Кількість циклів макс.:
1м
Недоступний
Діод: TVS; 0,6кВт; 28,9В; 14,9А; односпрямована; DO214AC,SMA; Ch: 1
Діод: TVS; 0,6кВт; 28,9В; 14,9А; односпрямована; DO214AC,SMA; Ch: 1

4,75 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
26В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO214AC; SMA
Недоступний
Резистор: thin film; 12кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±0,5%; ERA2AED
Резистор: thin film; 12кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±0,5%; ERA2AED

1,55 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Імпульсна макс. напруга:
50В
Корпус - дюйм:
0402
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5,2А; TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5,2А; TO263-7

269,26 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
8,9нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,36А; Idm: 1,8А; 0,35Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,36А; Idm: 1,8А; 0,35Вт

5,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,8нКл
Корпус:
SOT23-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 13А; Idm: 38А; 110Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 13А; Idm: 38А; 110Вт; DPAK

103,90 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
16,8нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 10,5А; U-DFN2020-6
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 10,5А; U-DFN2020-6

14,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
52,6нКл
Корпус:
U-DFN2020-6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 34,1А; Idm: 192А; 106Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 34,1А; Idm: 192А; 106Вт

83,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
30нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 82А; Idm: 326А; 130Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 82А; Idm: 326А; 130Вт

86,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
55нКл
Корпус:
LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 10А; Idm: 36А; 2Вт; DFN2020-8S
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 10А; Idm: 36А; 2Вт; DFN2020-8S

68,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
DFN2020-8S