1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 4,5кВ; 1,4А; Idm: 5А; 960Вт; 660нс

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 4,5кВ; 1,4А; Idm: 5А; 960Вт; 660нс
Немає в наявності
Код товару: IXTX1R4N450HV
3401,55 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXTX1R4N450HV
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: standard power mosfet
Заряд затвора: 88нКл
Корпус: TO247PLUS-HV
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 4,5кВ
Опір в стані провідності: 40Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 960Вт
Струм стока: 1,4А
Струм стоку в імпульсі: 5А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 660нс
Конденсатор: керамічний; 5пФ; 50ВDC; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; 5пФ; 50ВDC; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD; 0603

0,25 грн

Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
5пФ
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Блок живлення: імпульсний; LED; 30Вт; 12ВDC; 2,5А; 90÷264ВAC; IP64
Блок живлення: імпульсний; LED; 30Вт; 12ВDC; 2,5А; 90÷264ВAC; IP64

1339,97 грн

Вид блоку живлення:
LED
Вид корпусу:
964A
Використання:
LED
Вихідна напруга:
12В DC
Резистор: thin film; 26,1кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; ERA6AEB
Резистор: thin film; 26,1кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; ERA6AEB

5,07 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
200В
Корпус - дюйм:
0805
Недоступний
Резистор: thick film; 510Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; CQ; 200В
Резистор: thick film; 510Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; CQ; 200В

0,19 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Резистор: thick film; 8,2Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±0,5%; 150В
Резистор: thick film; 8,2Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±0,5%; 150В

0,58 грн

Допуск:
±0,5%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 180пФ; 1кВ; C0G (NP0); ±1%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 180пФ; 1кВ; C0G (NP0); ±1%; SMD; 1206

4,50 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±1%
Недоступний
Резистор: thin film; 432Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; TC; 75В
Резистор: thin film; 432Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; TC; 75В

1,95 грн

Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 600В; 5,7А; Idm: 36А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 600В; 5,7А; Idm: 36А

117,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™; польовий; 250В; 28А; Idm: 180А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™; польовий; 250В; 28А; Idm: 180А

152,69 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
68,2нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 160Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 160Вт

270,53 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
27,3нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ S; польовий; 800В; 8,4А; Idm: 56А; 183Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ S; польовий; 800В; 8,4А; Idm: 56А; 183Вт

343,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
31нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 140А; Idm: 314А; 714Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 140А; Idm: 314А; 714Вт

1828,44 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
224нКл
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 1,2кВ; 3А; Idm: 12А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 1,2кВ; 3А; Idm: 12А

82,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
22,2нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; Idm: 200А; 69,4Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; Idm: 200А; 69,4Вт; TO220-3

37,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
46нКл
Корпус:
TO220-3