1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 120мА; Idm: 0,5А; 1Вт; TO92

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 120мА; Idm: 0,5А; 1Вт; TO92
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: DN2540N3-G
46,88 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DN2540N3-G
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид каналу: збіднений
Вид упаковки: розсипний
Корпус: TO92
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 400В
Опір в стані провідності: 25Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1Вт
Стандартне пакування виробника: 1000шт.
Струм стока: 0,12А
Струм стоку в імпульсі: 0,5А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 542Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 542Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,08 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thin film; 328Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 328Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

20,21 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Реле: напівпровідниковe; Uупр: 3÷32ВDC; 40А; 24÷660ВAC; WG660
Реле: напівпровідниковe; Uупр: 3÷32ВDC; 40А; 24÷660ВAC; WG660

2470,86 грн

Модель реле:
1-фазний
Напруга перемикання:
24...660В AC
Напруга управління:
3...32В DC
Робоча температура:
-20...80°C
Недоступний
Резистор: thin film; 105Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,01%
Резистор: thin film; 105Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,01%

65,26 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,01%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Вимикач максимального струму; 400ВAC; Iном: 6А; Полюси: 3; Харкт: C
Вимикач максимального струму; 400ВAC; Iном: 6А; Полюси: 3; Харкт: C

2571,59 грн

Відключаюча здатність кор. замикання:
10кА
Відповідність стандарту:
IEC EN 60898; IEC EN 60947-2
Електрична стійкість:
20000 цикли
Кількість полюсів:
3
Недоступний
Резистор: thick film; 6,2Ом; SMD; 1210; 500мВт; ±5%; AS; 200В
Резистор: thick film; 6,2Ом; SMD; 1210; 500мВт; ±5%; AS; 200В

2,67 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Мікроперемикач TACT; SPST-NO; THT; немає; 4,3мм; OFF-(ON); B3F
Мікроперемикач TACT; SPST-NO; THT; немає; 4,3мм; OFF-(ON); B3F

110,87 грн

Висота кнопки:
4,3мм
Конфігурація контактів:
SPST-NO
Крок кнопки:
0,3мм
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 6,6А; TO220F
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 6,6А; TO220F

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
26нКл
Корпус:
TO220F
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 30А; 17,5Вт; TO220F
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 30А; 17,5Вт; TO220F

72,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
26,5нКл
Корпус:
TO220F
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 6,6А; 190Вт; TO247; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 6,6А; 190Вт; TO247; ESD

321,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; польовий; 600В; 12А; 150Вт
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; польовий; 600В; 12А; 150Вт

190,70 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 28А; 417Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 28А; 417Вт; TO247

505,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,5А; Idm: 1,2А; 0,83Вт; TO92
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,5А; Idm: 1,2А; 0,83Вт; TO92

25,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 33А; 357Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 33А; 357Вт; TO220AB

193,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
TO220AB