Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 2А; Idm: 12А; 42Вт; DPAK,TO252

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IRFR320PBF
86,80 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IRFR320PBF
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 20нКл
Корпус: DPAK; TO252
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 400В
Опір в стані провідності: 1,8Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 42Вт
Струм стока: 2А
Струм стоку в імпульсі: 12А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 57,6кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; ERA3AEB
Резистор: thin film; 57,6кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; ERA3AEB

1,67 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: thick film; 71,5кОм; 0603; 100мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 71,5кОм; 0603; 100мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C

0,03 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Опір:
71,5кОм
Інтерфейсний модуль safety; 3SU1.5; Ø22мм; гвинтові виводи
Інтерфейсний модуль safety; 3SU1.5; Ø22мм; гвинтові виводи

14306,28 грн

Виводи:
гвинтові виводи
Застосування - серія/виробник:
3SU1.5
Напруга живлення:
24В DC
Розміри монтажного отвору:
Ø22мм
Недоступний
Резистор: thin film; 12Ом; SMD; 1206; 0,25Вт; ±0,5%; ARG; 200В
Резистор: thin film; 12Ом; SMD; 1206; 0,25Вт; ±0,5%; ARG; 200В

0,39 грн

Допуск:
±0,5%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 10мкФ; 25ВDC; Ø4x7мм
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 10мкФ; 25ВDC; Ø4x7мм

17,74 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Висота:
7мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
4мм
Резистор: thin film; 1МОм; 0207; 1Вт; ±0,1%; -55÷155°C
Резистор: thin film; 1МОм; 0207; 1Вт; ±0,1%; -55÷155°C

29,84 грн

Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0207
Корпус - мм:
6123
Опір:
1мОм
Тримач мітчиків; Діапазон захвату: M3-M10; 85мм; сталь
Тримач мітчиків; Діапазон захвату: M3-M10; 85мм; сталь

971,24 грн

Діапазон захоплення:
M3-M10
Довжина:
85мм
Матеріал:
сталь
Тип інструмента:
тримач мітчиків
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 30В; 5,6А; 1,4Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 30В; 5,6А; 1,4Вт; SOT23

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 5,3А; 1,3Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 5,3А; 1,3Вт; SOT23

22,17 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 18А; 150Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 18А; 150Вт; D2PAK

105,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 8,3А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 8,3А; 2,5Вт; SO8

109,60 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9,1А; 39Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9,1А; 39Вт; DPAK

56,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 56А; 140Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 56А; 140Вт; DPAK

103,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 43А; Idm: 240А; 110Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 43А; Idm: 240А; 110Вт; DPAK

86,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
35нКл