Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 100А; 120Вт; VSONP8; 5x6мм

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: CSD18503Q5AT
127,34 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: CSD18503Q5AT
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 13нКл
Корпус: VSONP8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 4,7мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 120Вт
Розміри: 5x6мм
Струм стока: 100А
Технологія: NexFET™
Тип транзистора: N-MOSFET
Діод: TVS збірка; односпрямована; SOT23; Ch: 1; ролик,cтрічка
Діод: TVS збірка; односпрямована; SOT23; Ch: 1; ролик,cтрічка

40,55 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
12В
Кількість каналів:
1
Корпус:
SOT23
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 1,5кБ; 4МГц; ICSP; THT; DIP8; PIC12; туба
IC: мікроконтролер PIC; 1,5кБ; 4МГц; ICSP; THT; DIP8; PIC12; туба

83,00 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
мікросхема watchdog
Інтерфейс:
ICSP
Кількість входів/виходів:
5
Недоступний
Резистор: thick film; 24кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 24кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В; -55÷155°C

15,52 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Конденсатор: керамічний; 1мкФ; 25ВDC; X5R; ±20%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; 1мкФ; 25ВDC; X5R; ±20%; SMD; 0603

0,49 грн

Діелектрик:
X5R
Допуск:
±20%
Ємність:
1мкФ
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: thin film; 2,2кОм; 0805; 250мВт; ±0,05%; ARM-A; 10ppm/°C
Резистор: thin film; 2,2кОм; 0805; 250мВт; ±0,05%; ARM-A; 10ppm/°C

10,01 грн

Допуск:
±0,05%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Опір:
2,2кОм
Недоступний
Резистор: thin film; 143Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,01%
Резистор: thin film; 143Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,01%

126,71 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,01%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Резистор: thick film; 17,8кОм; 0805; 125мВт; ±1%; ERJ6ENF
Резистор: thick film; 17,8кОм; 0805; 125мВт; ±1%; ERJ6ENF

0,53 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 95А; Idm: 378А; 64Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 95А; Idm: 378А; 64Вт

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
9,1нКл
Корпус:
LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 13А; Idm: 30А; 17Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 13А; Idm: 30А; 17Вт; TO252

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Заряд затвора:
22,4нКл
Корпус:
TO252
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 180А; 315Вт; H2PAK-2
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 180А; 315Вт; H2PAK-2

90,60 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
114,6нКл
Корпус:
H2PAK-2
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 228А; 125Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 228А; 125Вт; PowerPAK® SO8

93,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
167нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 4Вт; PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 4Вт; PowerPAK® 1212-8

26,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
10нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,3А; Idm: 8А; 42Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,3А; Idm: 8А; 42Вт

78,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
18нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 24А; 60Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 24А; 60Вт; DPAK; ESD

62,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD