Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 100А; 272Вт

Немає в наявності
Код товару: PSMN1R8-40YLC,115
88,70 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: PSMN1R8-40YLC,115
Виробник: NEXPERIA
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 15,5нКл
Корпус: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 3,6мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 272Вт
Струм стока: 100А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,8пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,8пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

1,29 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
3,8пФ
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 28; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 28; THT; straight

14,76 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
12,6мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,7пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,7пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,17 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
9,7пФ
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 39; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 39; THT; straight

21,22 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
11,3мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; data; PIN: 17; soldering,THT
Connector: pin strips; pin header; data; PIN: 17; soldering,THT

737,46 грн

Connector family:
data
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT; паяння
Загальна довжина:
21,1мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 24пФ; 50В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 24пФ; 50В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0402

3,67 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±1%
Недоступний
Реактор: керамічний; SMD; 0402; 1,7нГн; 1А; R: 40мОм; ±0,2нГн
Реактор: керамічний; SMD; 0402; 1,7нГн; 1А; R: 40мОм; ±0,2нГн

1,93 грн

Високосортність:
23
Допуск:
±0,2нГн
Індуктивність:
1,7нГн
Корпус - дюйм:
0402
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,17А; 0,225Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,17А; 0,225Вт; SOT23

13,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; 0,36Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; 0,36Вт; SOT23

20,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; SJMOS™ C4; польовий; 650В; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; SJMOS™ C4; польовий; 650В; SOT223

34,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 120А; 188Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 120А; 188Вт; PG-TO263-3

159,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А

134,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
153нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-JFET; польовий; 2мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 2мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА

23,44 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-35В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 80А; 300Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 80А; 300Вт; D2PAK; ESD

183,73 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD