Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 110А; Idm: 400А; 188Вт; D2PAK

Немає в наявності
Код товару: CSD18511KTT
121,01 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: CSD18511KTT
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: D2PAK
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 4,2мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 188Вт
Струм стока: 110А
Струм стоку в імпульсі: 400А
Технологія: NexFET™
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Діод: TVS; 0,6кВт; 15,6В; двоспрямована; DO214AA,SMB; Ch: 1
Діод: TVS; 0,6кВт; 15,6В; двоспрямована; DO214AA,SMB; Ch: 1

269,26 грн

Зворотна напруга макс.:
14В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO214AA; SMB
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять EEPROM; 2-wire,I2C; SOP8; послідовний
IC: пам'ять EEPROM; 2-wire,I2C; SOP8; послідовний

9,44 грн

Вид пам’яті:
EEPROM
Інтерфейс:
2-wire; I2C
Корпус:
SOP8
Монтаж:
SMD
Недоступний
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 29; THT; 1.5A; 60V
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 29; THT; 1.5A; 60V

928,79 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Висота:
13,8мм
Довжина відводів:
4мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 33нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0805; 180мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 33нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0805; 180мм

1,50 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,22А; 0,3Вт; SOT323
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,22А; 0,3Вт; SOT323

13,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT323
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 55В; 80А; Idm: 320А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 55В; 80А; Idm: 320А

124,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
142нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5,2А; TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5,2А; TO263-7

269,26 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
8,9нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,36А; Idm: 1,8А; 0,35Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,36А; Idm: 1,8А; 0,35Вт

5,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,8нКл
Корпус:
SOT23-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 13А; Idm: 38А; 110Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 13А; Idm: 38А; 110Вт; DPAK

103,90 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
16,8нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 10,5А; U-DFN2020-6
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 10,5А; U-DFN2020-6

14,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
52,6нКл
Корпус:
U-DFN2020-6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 34,1А; Idm: 192А; 106Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 34,1А; Idm: 192А; 106Вт

83,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
30нКл