1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 110А; Idm: 400А; 42Вт; QFN5x6

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 110А; Idm: 400А; 42Вт; QFN5x6
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: DI110N04PQ-AQ
65,89 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DI110N04PQ-AQ
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 59нКл
Корпус: QFN5x6
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 2,9мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 42Вт
Струм стока: 110А
Струм стоку в імпульсі: 400А
Тип транзистора: N-MOSFET
Резисторна зборка: X; Кіл-ть резисторів: 9
Резисторна зборка: X; Кіл-ть резисторів: 9

6,84 грн

Кількість резисторів:
9
Тип резисторної зборки:
X
Резистор: дротяний; 3,8Ом; 10Вт; ±1%; -65÷250°C; 50ppm/°C; осьові
Резистор: дротяний; 3,8Ом; 10Вт; ±1%; -65÷250°C; 50ppm/°C; осьові

109,60 грн

Виводи:
осьові
Допуск:
±1%
Опір:
3,8Ом
Потужність:
10Вт
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 32кБ; 32МГц; THT; DIP20; PIC24; туба
IC: мікроконтролер PIC; 32кБ; 32МГц; THT; DIP20; PIC24; туба

222,38 грн

Вид архітектури:
Harvard 16бит
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); HLVD; RTCC; watchdog
Інтерфейс:
ADC; I2C x2; IrDA; LIN; PWM; RS232; RS485; SPI x2; UART x2
Недоступний
Трансформатор: струмовий; Iвх: 1кА; Iвих: 5А; пригвинчуваний
Трансформатор: струмовий; Iвх: 1кА; Iвих: 5А; пригвинчуваний

10325,66 грн

Вихідний струм:
5А
Відповідність стандарту:
EN 60044-1
Властивості вимірювальних аксесуарів:
ядро з застібкою
Вхідний струм:
1кА
Недоступний
IC: мікроконтролер ARM; 64кБSRAM,256кБFLASH; LQFP100; KINETIS
IC: мікроконтролер ARM; 64кБSRAM,256кБFLASH; LQFP100; KINETIS

587,94 грн

Вид архітектури:
Cortex M4
Інтерфейс:
CAN; I2C x2; I2S; SPI x2; UART x5; USB OTG
Кількість входів/виходів:
64
Корпус:
LQFP100
Недоступний
Кабель; 0,178м; SMP "мама",з обох сторін; прямий
Кабель; 0,178м; SMP "мама",з обох сторін; прямий

1809,43 грн

Вид кабелю:
Hand Formable 0.047 Inch
Довжина кабелю:
0,178м
Конструкція кабелю/переходу:
SMP "мама"; з обох сторін
Модель роз’єму:
прямий
Недоступний
Резистор: thin film; 102кОм; THT; 250мВт; ±0,1%; Ø2,5x7,2мм; осьові
Резистор: thin film; 102кОм; THT; 250мВт; ±0,1%; Ø2,5x7,2мм; осьові

40,55 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,5мм
Довжина:
7,2мм
Допуск:
±0,1%
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,3А; 0,5Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,3А; 0,5Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±8В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,2А; Idm: 27А; 0,4Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,2А; Idm: 27А; 0,4Вт; SOT23

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
5,1нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 47Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 47Вт; PG-TO252-3

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 40А; Idm: 80А; 40Вт
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 40А; Idm: 80А; 40Вт

66,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
77нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3

291,43 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 56А; 310Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 56А; 310Вт; D2PAK

215,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
82нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,5А; 4,5Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,5А; 4,5Вт; DFN3x3 EP

15,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7,1нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD