Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 120А; 200Вт; TO220AB; 35нс

Немає в наявності
Код товару: IXTP120N04T2
116,57 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXTP120N04T2
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: thrench gate power mosfet
Заряд затвора: 58нКл
Корпус: TO220AB
Монтаж: THT
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 6,1мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 200Вт
Струм стока: 120А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 35нс
Недоступний
Резистор: thick film; 4,3Ом; SMD; 2010; 1Вт; ±1%; HP; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 4,3Ом; SMD; 2010; 1Вт; ±1%; HP; 200В; -55÷155°C

3,93 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Недоступний
Резистор: thick film; 60,4Ом; 0402; 63мВт; ±1%; 50В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 60,4Ом; 0402; 63мВт; ±1%; 50В; -55÷155°C

0,32 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Резистор: thin film; 191Ом; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 191Ом; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,5%

5,58 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Конденсатор: керамічний; 22нФ; 100В; X7R; ±5%; SMD; 1812
Конденсатор: керамічний; 22нФ; 100В; X7R; ±5%; SMD; 1812

22,74 грн

Діелектрик:
X7R
Допуск:
±5%
Ємність:
22нФ
Корпус - дюйм:
1812
Конденсатор: поліпропиленовий; X2; R46; 1мкФ; 560ВDC; THT; ±20%
Конденсатор: поліпропиленовий; X2; R46; 1мкФ; 560ВDC; THT; ±20%

27,69 грн

Виводи:
радіальні
Вид конденсатора:
X2
Висота:
17мм
Допуск:
±20%
Недоступний
Резистор: thick film; 143кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%; 75В
Резистор: thick film; 143кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%; 75В

0,20 грн

Допуск:
±0,5%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Конденсатор: танталовий; 150мкФ; 10ВDC; SMD; Y; 2917; ±20%; TPS
Конденсатор: танталовий; 150мкФ; 10ВDC; SMD; Y; 2917; ±20%; TPS

70,96 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±20%
Ємність:
150мкФ
Корпус:
Y
Транзистор: N-MOSFET; 700В; 6А; Idm: 12,8А; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; 700В; 6А; Idm: 12,8А; TO220FP

43,97 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6,8нКл
Корпус:
TO220FP
Напруга сток-джерело:
700В
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 60В; 42А; 110Вт
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 60В; 42А; 110Вт

112,77 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; 900В; 36А; Idm: 96А; 417Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; 900В; 36А; Idm: 96А; 417Вт; TO247

1141,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
0,27мкКл
Корпус:
TO247
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 500В; 3А; 45Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 500В; 3А; 45Вт; TO220-3

124,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 18А; 72Вт
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 18А; 72Вт

87,43 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
42нКл
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
±30В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 30,8А; 230Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 30,8А; 230Вт; TO220AB

232,51 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
86нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 69Вт
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 69Вт

159,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
73нКл
Монтаж:
THT
Напруга сток-джерело:
100В