1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 21А; 36Вт; PDFN56U

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 21А; 36Вт; PDFN56U
Немає в наявності
Код товару: TSM033NB04CR RLG
105,17 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: TSM033NB04CR RLG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка
Заряд затвора: 77нКл
Корпус: PDFN56U
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 3,3мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 36Вт
Струм стока: 21А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 56пФ; 6,3В; C0G (NP0); ±2%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 56пФ; 6,3В; C0G (NP0); ±2%; SMD

0,15 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Недоступний
IC: цифровий; неінвертуючий,відвертаючий,тригер D; Ch: 2; IN: 1
IC: цифровий; неінвертуючий,відвертаючий,тригер D; Ch: 2; IN: 1

26,17 грн

Вид виходу:
push-pull
Вид об'єднаної схеми:
відвертаючий; неінвертуючий; тригер D
Кількість виходів:
1
Кількість каналів:
2
Діод: TVS; 0,6кВт; 14,4В; 28А; односпрямована; SOD128F; Ch: 1
Діод: TVS; 0,6кВт; 14,4В; 28А; односпрямована; SOD128F; Ch: 1

9,31 грн

Зворотна напруга макс.:
13В
Кількість каналів:
1
Корпус:
SOD128F
Монтаж:
SMD
Діод: TVS; 3кВт; 133÷147В; 15,54А; двоспрямована; SMC
Діод: TVS; 3кВт; 133÷147В; 15,54А; двоспрямована; SMC

25,98 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Зворотна напруга макс.:
120В
Корпус:
SMC
Недоступний
Світловий бар'єр безпеки; H: 670мм; 0,5÷20м; IP67; F3SG-PG; 24ВDC
Світловий бар'єр безпеки; H: 670мм; 0,5÷20м; IP67; F3SG-PG; 24ВDC

47142,10 грн

Вид виходу 1:
NPN; PNP
Висота:
670мм
Дальність:
0,5...20м
Категорія безпеки:
4
Недоступний
Діод: TVS; 56,15В; 194,3А; двоспрямована; ±5%; P600; 15кВт; 15KPA
Діод: TVS; 56,15В; 194,3А; двоспрямована; ±5%; P600; 15кВт; 15KPA

451,72 грн

Вид упаковки:
розсипний
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
48В
Недоступний
Запобіжник: полімерний PTC; THT; 4А; Iмакс: 100А; Iперемик.max: 20А
Запобіжник: полімерний PTC; THT; 4А; Iмакс: 100А; Iперемик.max: 20А

5,07 грн

Максимальна напруга:
16В
Максимальний струм:
100А
Монтаж:
THT
Номінальний струм:
4А
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,17А; 0,225Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,17А; 0,225Вт; SOT23

13,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; 0,36Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; 0,36Вт; SOT23

20,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; SJMOS™ C4; польовий; 650В; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; SJMOS™ C4; польовий; 650В; SOT223

34,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 120А; 188Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 120А; 188Вт; PG-TO263-3

159,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А

134,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
153нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-JFET; польовий; 2мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 2мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА

23,44 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-35В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 80А; 300Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 80А; 300Вт; D2PAK; ESD

183,73 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD