Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 56А; Idm: 224А; 35,7Вт

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: WMB56N04T1
25,98 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WMB56N04T1
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 36нКл
Корпус: PDFN5060-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 7,2мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 35,7Вт
Струм стока: 56А
Струм стоку в імпульсі: 224А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 32кБ; 64МГц; I2C,SPI,UART,USART; SMD; туба
IC: мікроконтролер PIC; 32кБ; 64МГц; I2C,SPI,UART,USART; SMD; туба

84,90 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); DMA; HLVD; PoR
Інтерфейс:
I2C; SPI; UART; USART
Кількість входів/виходів:
35
Недоступний
Датчик: відстані; на відбиття; Дальність: 30÷130мм; 12÷28ВDC; OADR
Датчик: відстані; на відбиття; Дальність: 30÷130мм; 12÷28ВDC; OADR

198806,00 грн

Дальність:
30...130мм
Зовнішні розміри:
20,3x65x51мм
Кількість пін:
8
Клас герметичності:
IP68; IP69K
Недоступний
Вимикач потужності; Полюси: 3; на панель,на шину DIN; Iном: 400А
Вимикач потужності; Полюси: 3; на панель,на шину DIN; Iном: 400А

29183,39 грн

Відключаюча здатність кор. замикання:
65кА
Діапазон налаштування захисту:
320...400А
Кількість полюсів:
3
Клас герметичності:
IP20
Недоступний
Діод: зенера; 500мВт; 12,8В; SMD; DO213AA; 15мкА
Діод: зенера; 500мВт; 12,8В; SMD; DO213AA; 15мкА

5814,12 грн

Допуск:
±5%
Зенерівська напруга:
12,8В
Корпус:
DO213AA
Монтаж:
SMD
Провід; ÖLFLEX® CLASSIC 130 H; 25G0,75мм2; неекранований; Cu
Провід; ÖLFLEX® CLASSIC 130 H; 25G0,75мм2; неекранований; Cu

748,23 грн

Bластивості проводів:
низьке виділення диму
Iнформація:
Маркування UL лише на повній заводській упаковці
Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
тросик
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 35; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 35; SMT; 3A; 250V

275,60 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Діод: випрямний Шотткі; SMD; 40В; 2,6А; ролик,cтрічка
Діод: випрямний Шотткі; SMD; 40В; 2,6А; ролик,cтрічка

20,27 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Ємність:
340пФ
Зворотна напруга макс.:
40В
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 8А; 160Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 8А; 160Вт; D2PAK

153,32 грн

Заряд затвора:
72нКл
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
900В
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263

167,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
80,4нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8

26,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
PG-TDSON-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7

487,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
59нКл
Корпус:
D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15,5нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт

147,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
10,5нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD