Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 5А; Idm: 19А; 1,2Вт; SOT23

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: WM04N50M
25,34 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WM04N50M
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 10нКл
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 41мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,2Вт
Струм стока: 5А
Струм стоку в імпульсі: 19А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 169кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJH2RF
Резистор: thick film; 169кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJH2RF

1,74 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Маркер: кабельний; Маркування: S; 1,9÷2,6мм; POM; білий; PLIOSNAP
Маркер: кабельний; Маркування: S; 1,9÷2,6мм; POM; білий; PLIOSNAP

1081,48 грн

Зовнішній діаметр проводу:
1,9...2,6мм
Клас горючості:
UL94HB
Колір:
білий
Колір друкованого знаку:
чорний
Роз’єм: круглі; контакт; штекерний; промислова; затискання; латунь
Роз’єм: круглі; контакт; штекерний; промислова; затискання; латунь

48,15 грн

Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
затискання
Резистор: thin film; 37кОм; SMD; 0603; 125мВт,210мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 37кОм; SMD; 0603; 125мВт,210мВт; ±0,1%

1,67 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 12ВDC; Uвих: 12ВDC; Uвих.2: -12ВDC
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 12ВDC; Uвих: 12ВDC; Uвих.2: -12ВDC

306,64 грн

Вихідна напруга:
12В DC
Вихідна напруга 2:
-12В DC
Вихідний струм:
42мА
Вхідна напруга:
12В DC
Недоступний
Резистор: thick film; 422кОм; SMD; 1206; 500мВт; ±1%; HP; 200В
Резистор: thick film; 422кОм; SMD; 1206; 500мВт; ±1%; HP; 200В

0,51 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Резистор: thin film; 8,2кОм; SMD; 1206; 0,25Вт; ±0,5%; ARG; 200В
Резистор: thin film; 8,2кОм; SMD; 1206; 0,25Вт; ±0,5%; ARG; 200В

0,38 грн

Допуск:
±0,5%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 80А; 242Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 80А; 242Вт; D2PAK

203,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
135нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 7,8А; Idm: 26А; 86Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 7,8А; Idm: 26А; 86Вт

67,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
14,6нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 1,9А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 1,9А; 0,5Вт; SuperSOT-3

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
5,9нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,8А; 57Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,8А; 57Вт; TO252

38,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6,7нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9,8А; 50Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9,8А; 50Вт; DPAK

83,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
18нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 16А; 90Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 16А; 90Вт; DPAK

138,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
62нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9А; 50Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9А; 50Вт; DPAK; ESD

88,70 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD